钟志新
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制
- 1993年
- 本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
- 华培忠王福臣翁瑞钟志新马跃梁波杨玉昌
- 关键词：砷化镓场效应晶体管
- 3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs
- 1992年
- GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。
- 华培忠翁瑞王福臣钟志新
- 关键词：振荡器波段大功率
- L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管被引量：5
- 1997年
- 设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。
- 王因生林川王佃利王志楠张树丹黄仲平康小虎钟志新
- 关键词：微波功率晶体管双极晶体管多晶硅
- 微波功率器件动态寿命试验方法和技术研究
- 2001年
- 介绍了对微波功率器件开展的动态加速寿命试验方法和技术的研究。主要阐述了实现振荡式微波动态寿命试验的方法 ,以及不同于常规的对受试功率器件进行内部式加热控温的技术研究。
- 来萍荣炳麟冯敬东范国华金毓铨钟志新张晓明
- 关键词：微波功率器件
