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樊继斌

作品数：6 被引量：4H指数：1
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刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 栅氧化层 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范小娇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 HALO 应变SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单片机 金属氧化物半导体场效应晶体管 原子层淀积 SPI接口 扩频通信
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
费晨曦
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 栅介质材料 原子层淀积 高K栅介质 电介质膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
匡潜玮
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALD 高K栅介质 原子层淀积 HFO 材料特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马飞
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：材料特性 HFO ALD 高K栅介质 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张旭杰
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 ND2O3 ND 经时击穿 温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张言雷
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：MIS 电特性 栅结构 材料特性 HFO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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