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费晨曦

作品数：11 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇栅介质
  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇氧化物半导体
  • 7篇金属氧化物半...
  • 7篇金属氧化物半...
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体场效应...
  • 6篇淀积
  • 6篇衬底
  • 5篇原子层淀积
  • 5篇栅介质材料
  • 5篇介质
  • 4篇电介质膜
  • 4篇介质膜
  • 4篇高K栅介质
  • 3篇介电常数
  • 3篇金属栅
  • 3篇高介电常数

机构

  • 11篇西安电子科技...

作者

  • 11篇费晨曦
  • 10篇刘红侠
  • 7篇汪星
  • 5篇赵璐
  • 4篇范小娇
  • 2篇樊继斌
  • 2篇马飞
  • 2篇卓青青
  • 1篇杨兆年
  • 1篇朱嘉

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法
本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采...
刘红侠费晨曦范小娇马飞樊继斌许韩晨玺
文献传递
基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法
本发明公开了一种基于锗衬底的La基高介电常数栅介质材料的制备方法，主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含界面层(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其...
刘红侠范小娇费晨曦卓青青汪星尹淑颖
文献传递
90nm CMOS工艺下电压触发的ESD检测电路被引量：2
2015年
提出两种90nm 1VCMOS工艺下电压触发的静电放电检测电路.电压触发的静电检测电路避免了纳米级工艺中的MOS电容栅极漏电问题.该检测电路包含一个反馈回路,提高了检测电路的触发效率,同时增加了反馈关断机制,在芯片工作时检测电路由于某些特殊因素误触发后,仍然可以自行关断,而不会进入闩锁状态.在3V静电放电仿真时,该电路能产生28mA触发电流,以开启箝位器件来泄放静电电荷.在25℃正常电压下工作时,漏电流仅为42(45)nA.仿真结果表明,该检测电路可成功用于纳米级CMOS工艺的集成电路静电保护.
杨兆年刘红侠朱嘉费晨曦
关键词：检测电路静电放电
基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法
本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采...
刘红侠费晨曦范小娇马飞樊继斌许韩晨玺
文献传递
新型高k栅介质LaxAlyO薄膜的制备与性能研究
从19世纪80年代以来，随着互补金属氧化物半导体集成电路技术的发展，微电子行业的发展也取得了巨大的成功。随着摩尔定律的发展，金属氧化物半导场效应晶体管的低功耗以及高速运转的特性使其性能不断发展，这也推进着微电子技术的不断...
费晨曦
关键词：等效氧化层厚度
基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法
本发明公开了一种基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构是在衬底上自下而上包含厚度为...
刘红侠赵璐汪星冯兴尧费晨曦王永特
文献传递
基于La基栅的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法
本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO<Sub>3</Sub>/SrTiO<Sub>3</Sub>异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO<S...
刘红侠赵璐陈煜海冯兴尧汪星费晨曦
文献传递
基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法
本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层...
刘红侠王永特赵璐汪星费晨曦冯兴尧
文献传递
基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法
本发明公开了一种基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统氧化铪高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构自下而上包含Ge衬底(...
刘红侠汪星赵璐冯兴尧费晨曦王永特
文献传递
基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质结构及其制作方法
本发明公开了一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅介质，主要解决现有栅介质材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差等问题。该栅介质材料自下而上包含SOI衬底(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中...
刘红侠冯兴尧汪星刘贺蕾赵璐费晨曦
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