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马飞
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
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发文基金:
国家教育部博士点基金
高等学校科技创新工程重大项目
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘红侠
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
张言雷
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
匡潜玮
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
樊继斌
西安电子科技大学微电子学院宽禁...
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马飞
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西安电子科技...
年份
1篇
2012
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ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响
被引量:3
2012年
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃~310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.
匡潜玮
刘红侠
樊继斌
马飞
张言雷
关键词:
高K栅介质
原子层淀积
生长温度
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