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张言雷

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电特性
  • 2篇栅结构
  • 2篇MIS
  • 1篇导体
  • 1篇淀积
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇栅介质
  • 1篇生长温度
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿效应
  • 1篇高K材料
  • 1篇高K栅介质
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇ALD
  • 1篇HFO
  • 1篇材料特性

机构

  • 3篇西安电子科技...

作者

  • 3篇张言雷
  • 1篇樊继斌
  • 1篇匡潜玮
  • 1篇刘红侠
  • 1篇马飞

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 3篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3
2012年
采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.
匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷
关键词：高K栅介质原子层淀积生长温度
新型高κ材料叠栅MIS结构实现和电特性研究
当集成电路发展到45nm工艺节点以下时，传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起的栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等问题，严重的阻碍了MOS器件的进一步发展。克服这些问...
张言雷
关键词：电特性
文献传递
新型高k材料叠栅MIS结构实现和电特性研究
当集成电路发展到45nm工艺节点以下时，传统的SiO2作为栅氧化层介质会导致电子的直接隧穿效应以及栅介质层所承受的电场变大，由此引起的栅介质的泄漏电流增大和可靠性下降等问题，严重的阻碍了MOS器件的进一步发展。克服这些问...
张言雷
关键词：半导体薄膜隧穿效应
文献传递
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