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吴郁

作品数:121 被引量:100H指数:5
供职机构:北京工业大学更多>>
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领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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60 条 记 录,以下是 1-10
胡冬青
供职机构:北京工业大学
研究主题:内透明集电极 IGBT 绝缘栅双极晶体管 SIC 功率MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
贾云鹏
供职机构:北京工业大学
研究主题:内透明集电极 IGBT 绝缘栅双极晶体管 单粒子 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
亢宝位
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:IGBT 绝缘栅双极晶体管 晶体管 槽栅 内透明集电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周新田
供职机构:北京工业大学
研究主题:SIC 多晶硅栅 二极管 沟道 栅电荷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程序
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:击穿电压 晶体管 功率集成 开关速度 电子领域
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田波
供职机构:北京工业大学
研究主题:JFET 槽栅MOSFET 功耗 槽栅 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王哲
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:IGBT 仿真 晶体管 GA LPL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
游雪兰
供职机构:北京工业大学电子信息与控制工程学院
研究主题:IGBT 功率MOSFET 功率器件 槽栅 IGBT模块
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张彦飞
供职机构:北京工业大学
研究主题:IGBT 功率器件 击穿电压 结终端 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩峰
供职机构:北京工业大学
研究主题:JFET 槽栅 功耗 氧化层 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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