您的位置: 专家智库 > >

王军贤

作品数:12 被引量:26H指数:3
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 10个电子电信
  • 6个电气工程
  • 2个一般工业技术
  • 2个理学
  • 1个经济管理
  • 1个自动化与计算...

主题

  • 10个低噪
  • 10个低噪声
  • 10个放大器
  • 9个单片
  • 9个低噪声放大器
  • 9个电路
  • 9个集成电路
  • 9个PHEMT
  • 8个单片低噪声放...
  • 8个晶体管
  • 8个HEMT
  • 7个异质结
  • 7个迁移率
  • 7个微波集成
  • 7个微波集成电路
  • 6个单片集成
  • 6个单片集成电路
  • 6个电子迁移率
  • 4个单片功率放大...
  • 4个等效

机构

  • 10个南京电子器件...
  • 2个中国电子科技...
  • 2个中华人民共和...
  • 1个南京大学
  • 1个清华大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个西安电子科技...
  • 1个电子工业部
  • 1个电子部
  • 1个微波毫米波单...
  • 1个南京国博电子...

资助

  • 4个国家自然科学...
  • 2个江苏省自然科...
  • 1个教育部跨世纪...
  • 1个国家杰出青年...
  • 1个国家部委预研...
  • 1个国家重点实验...
  • 1个上海汽车工业...
  • 1个微波毫米波单...

传媒

  • 10个固体电子学研...
  • 6个电子学报
  • 5个Journa...
  • 5个2001全国...
  • 5个2001年全...
  • 4个功能材料与器...
  • 4个电子元器件应...
  • 4个全国化合物半...
  • 4个1997年全...
  • 4个2001年全...
  • 2个半导体情报
  • 2个微波学报
  • 2个电子与封装
  • 2个第五届全国分...
  • 2个第一届全国纳...
  • 1个半导体技术
  • 1个科学通报
  • 1个微电子学与计...
  • 1个西安交通大学...
  • 1个稀有金属

地区

  • 10个江苏省
10 条 记 录,以下是 1-10
陈效建
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题:MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘军
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 HEMT KU波段 功率PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔宝文
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑雪帆
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:PHEMT 功率PHEMT 异质结器件 异质结 INGAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝西萍
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 开关 开关模型 金属半导体场效应晶体管 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岑元飞
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 单片集成电路 集成电路 单片 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方胜
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:KA频段 HEMT 放大器 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
聚类工具0