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王军贤

作品数：12 被引量：26H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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共 10 条 记 录，以下是 1-10
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 单片低噪声放大器 HEMT KU波段 功率PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔宝文
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑雪帆
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 功率PHEMT 异质结器件 异质结 INGAAS/ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝西萍
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 开关 开关模型 金属半导体场效应晶体管 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
岑元飞
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 单片集成电路 集成电路 单片 S波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方胜
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：KA频段 HEMT 放大器 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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