郝西萍
- 作品数：17 被引量：22H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
- 2001年
- 提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。
- 徐红钢陈效建高建峰郝西萍
- X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器被引量：4
- 1998年
- 报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。
- 乔宝文陈效建刘军郑雪帆王军贤郝西萍
- 关键词：PHEMT低噪声放大器微波集成电路
- 全自动在片直流测试技术对提高GaAs MMIC批量生产成品率的作用被引量：1
- 2000年
- 成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试 ,对参数进行统计分析 ,能判断成品率是否正常 ,并帮助找出影响成品率的原因。本文介绍了行之有效的测试统计和分析技术。
- 吴振海郝西萍蒋幼泉陈新宇
- 关键词：成品率在片测试GAASMMIC微波器件
- Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验被引量：12
- 1998年
- 通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。
- 陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
- 关键词：MMICHEMT
- Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验结果
- ＜正＞引言HEMT微波单片电路的技术进展除了对单片工艺提出很高的要求外,在电路设计方面,由于全部电路设置于一块GaAs基片上,与常规的微波电路相比有不同的设计考虑。本文通过Ku波段（13.4～14.0 GHz）PHEMT...
- 陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
- 文献传递
- 宽带GaAs MESFET开关模型被引量：4
- 2003年
- 提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1～ 2 0 GHz频率范围内 。
- 陈新宇徐全胜陈继义陈效建郝西萍李拂晓蒋幼泉
- 关键词：开关模型MESFET金属半导体场效应晶体管GAAS砷化镓等效电路
- 纳米间隙电极的制备及其在纳米器件研究中的应用
- 本文所涉及研究的目标是借助普通光刻结合光刻胶工艺、结合分子组装工艺等的选择性化学沉积法来获得电极间距可小于100nm的电极,同时研究这种电极结构应用于诸如单电子器件、DNA器件等纳米器件的研制.单电子器件是纳米器件发展中...
- 彭力赵丽新沈浩瀛陈堂胜郝西萍
- 关键词：单电子器件
- 文献传递网络资源链接
- MEMS开关的测试与模拟
- 本文论述了微波MEMS开关的测试与模拟.开关为金属膜组成的桥式结构,其插入损耗和隔离性能取决于开态和关态的电容.采用微波在片测试系统,对开关进行了测试和模型提取,模型模拟值与测试值基本吻合.
- 陈新宇朱健郝西萍李拂晓林金庭
- 关键词：MEMS开关开关结构
- 文献传递
- GaAs MESFET开关模型被引量：2
- 2002年
- 本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。
- 陈新宇陈继义郝西萍李拂晓邵凯杨乃彬
- 宽带GaAs MESFET开关模型
- 本文提出了一种MESFET开关的模型—附加栅控开关模型,适用于MMIC电路的设计,其具有很好的宽带微波特性。器件测试值与模型模拟值吻合较好。
- 陈新宇陈继义陈效建郝西萍蒋幼泉李拂晓
- 关键词：开关宽带MESFET
- 文献传递
