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乔宝文

作品数：3 被引量：16H指数：2
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇单片
  • 3篇单片低噪声放...
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇低噪声放大器
  • 3篇放大器
  • 3篇PHEMT
  • 2篇KU波段
  • 1篇电路
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇X波段
  • 1篇HEMT
  • 1篇MMIC

机构

  • 3篇南京电子器件...

作者

  • 3篇王军贤
  • 3篇陈效建
  • 3篇郝西萍
  • 3篇乔宝文
  • 3篇刘军
  • 1篇郑雪帆

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器被引量：4
1998年
报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。
乔宝文陈效建刘军郑雪帆王军贤郝西萍
关键词：PHEMT低噪声放大器微波集成电路
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验被引量：12
1998年
通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。
陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
关键词：MMICHEMT
Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验结果
＜正＞引言HEMT微波单片电路的技术进展除了对单片工艺提出很高的要求外,在电路设计方面,由于全部电路设置于一块GaAs基片上,与常规的微波电路相比有不同的设计考虑。本文通过Ku波段（13.4～14.0 GHz）PHEMT...
陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
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