王军贤
- 作品数：12 被引量：26H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Ka波段PHEMT功率放大器被引量：1
- 2001年
- 报道了 Ka波段的 PHEMT功率放大器的设计和研制。 PHEMT器件采用 0 .2 μm栅长的 Φ 76 mm Ga As工艺制作 ,并利用 CAD技术指导材料生长和器件制作。单级的 MIC放大器采用0 .3mm栅宽的 PHEMT,在 34GHz处 ,输出功率 10 0 m W,功率增益 4 d B。
- 陈新宇高建峰王军贤陈效建
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管功率放大器KA波段
- Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验结果
- ＜正＞引言HEMT微波单片电路的技术进展除了对单片工艺提出很高的要求外,在电路设计方面,由于全部电路设置于一块GaAs基片上,与常规的微波电路相比有不同的设计考虑。本文通过Ku波段（13.4～14.0 GHz）PHEMT...
- 陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
- 文献传递
- Ka波段HEMT噪声系数测试
- 1997年
- 介绍了Ka波段HEMT及其单片低噪声放大器的测试方法，着重分析了低频振荡原因和抑制方法，探讨了毫米波电路测试的特点，最后给出了测试结果。
- 王军贤陈效建刘军
- 关键词：HEMT低噪声放大器毫米波技术
- Ka频段低噪声放大器的设计被引量：8
- 1998年
- 介绍了Ka频段低噪声放大器的设计方法，采用HP－EESOF公司Libra软件对有源器件进行直流分析与参数提取，并运用小信号线性分析法进行电路模拟与设计。研制的放大器在34－36GHz频率下噪声系数小于3dB。
- 王军贤
- 关键词：HEMT低噪声放大器
- S波段PHEMT单片低噪声放大器
- 2001年
- 采用 PHEMT结构实现小电流、驻波性能优异的单片 S波段低噪声放大器。利用 HPIC- CAP软件系统提取 PHEMT管芯的 EEHEMT1模型参数 ,并结合 HP- EEsof Series IV软件的优化设计 ,及 Cadence L ayout版图设计 ,最终在 76 mm的 MBE圆片上实现了单片电路。该单片在无任何调配的情况下 。
- 岑元飞陈效建王军贤高建峰林金庭
- 关键词：赝配高电子迁移率晶体管低噪声放大器S波段单片集成电路
- X波段及DBS接收用PHEMT单片低噪声放大器被引量：4
- 1998年
- 报道了X波段及DBS接收用单片低噪声放大器的研制结果。利用CAD软件对单片电路进行优化设计，设计工作包括MBE材料、PHEMT器件和单片电路三部分。在研制过程中，开展了关键工艺的专题研究。研究结果为：单级单片放大器在10：5－11．6GHz范围内，NF≤1．82dB，G≥7.72dB；在11．7－12．2GHz范围内，NF≤1．80dB，G≥6．8dB；双级放大器在10．4－11．1GHz范围内，NF≤1．96dB，G≥15．3dB，最低噪声系数为1．63dB，最高增益为16．07dB。
- 乔宝文陈效建刘军郑雪帆王军贤郝西萍
- 关键词：PHEMT低噪声放大器微波集成电路
- S波段PHEMT单片阻性混频器
- 1998年
- 王军贤岑元飞陈效建高建峰
- 关键词：混频器PHEMT
- Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验被引量：12
- 1998年
- 通过分析微波单片集成电路（MMIC）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行MMIC精确设计的有效途径．着重分析了在软件中如何建立三类MMIC用元件（有源器件、无源元件及由MMIC工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ku波段两级AlGaAs／InGaAsPHEMT单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与CAD设计值十分相近的实验结果：在13．4～14．0GHz的频率范围内，噪声系数（NF）1．66±0．04dB，相关增益（Ga）13．3±0．05dB。
- 陈效建乔宝文戚友芹郝西萍刘军王军贤
- 关键词：MMICHEMT
- S波段接收前端用单片混频器的CAD被引量：1
- 1999年
- 报道了Ｓ波段接收前端用单片混频器的设计方法，运用ＬＩＢＲＡ软件对混频器进行谐波平衡分析与优化，结果表明该软件是进行非线性电路设计很有效的工具。
- 王军贤岑元飞陈效建
- 关键词：混频器MMICCAD
- 8mm高电子迁移率功率晶体管芯片
- 1999年
- 南京电子器件研究所研制的８ｍｍ高电子迁移率功率晶体管芯片是国内首次通过设计定型的８ｍｍ波段ＰＨＥＭＴ功率器件，具有频率特性好、增益高、输出功率大、使用方便等优点。为更好地发挥异质结材料的性能，采用ＣＡＤ技术，对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础...
- 陈新宇高建峰王军贤郑雪帆陈效建
- 关键词：功率晶体管芯片电子迁移率
- 全文增补中
