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李传海

作品数:3 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

  • 6个电子电信
  • 4个自动化与计算...
  • 2个化学工程
  • 2个金属学及工艺
  • 2个电气工程
  • 2个一般工业技术
  • 2个理学
  • 1个机械工程
  • 1个交通运输工程

主题

  • 6个砷化镓
  • 6个阈值电压
  • 6个阈值电压均匀...
  • 6个均匀性
  • 6个MESFET
  • 5个旁栅效应
  • 5个晶体管
  • 5个场效应
  • 5个场效应晶体管
  • 5个GAAS
  • 4个电路
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  • 3个栅距
  • 3个振荡
  • 3个砷化镓衬底
  • 3个深能级
  • 2个单电源
  • 2个电源
  • 2个电阻

机构

  • 4个中国科学院上...
  • 3个中国科学院
  • 2个合肥工业大学
  • 1个南京电子器件...
  • 1个西安交通大学

资助

  • 6个国家自然科学...
  • 3个国家重点实验...
  • 2个上海汽车工业...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国家高技术研...
  • 1个湖南省自然科...
  • 1个机械工业技术...
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传媒

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  • 1个机械工程学报
  • 1个仪器仪表学报
  • 1个物理学报

地区

  • 4个上海市
  • 2个安徽省
6 条 记 录,以下是 1-6
夏冠群
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁勇
供职机构:合肥工业大学应用物理系
研究主题:MESFET 旁栅效应 砷化镓 沟道电流 GAAS衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
詹琰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压 GAAS 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱朝嵩
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:MESFET 砷化镓 阈值电压 均匀性 阈值电压均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛友德
供职机构:合肥工业大学
研究主题:金刚石薄膜 金刚石 MESFET 砷化镓 旁栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘汝萍
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 背栅效应 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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