毛友德
- 作品数：47 被引量：66H指数：5
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金机械工业技术发展基金湖南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- CMOS电路同步开关噪声的分析和仿真
- 2004年
- 目前,集成电路正向着高速集成度方向发展,但受到封装如DIP、TSOP、BGA等上寄生电感的作用,同步开关噪声影响越来越大。本文对一个简化的同步开关噪声电路模型进行了理论分析,从而得出通过调整开关上升时间等方法,可以有效降低地弹噪声,降低幅度可达到80％以上。
- 王强毛友德王竞郑坚斌楚薇
- 关键词：CMOS集成电路同步开关噪声寄生电感
- 类金刚石碳膜作为红外元件减反射膜的研究
- 1991年
- 本文以甲苯为工作气体,先用高频辉光放电等离子体CVD方法制备出类金刚石碳膜,研究了它的光吸收和红外增透性,以及在Si、Ge等红外元件上作为减反射膜的应用。
- 毛友德刘声雷杨国伟
- 关键词：类金刚石碳膜红外器件
- 辉光放电等离子体鞘层的计算机模拟被引量：1
- 2001年
- 本文利用蒙特卡罗方法 ,模拟了氩气辉光放电鞘层内离子的运动过程 ,得到了不同气压和不同放电电压下离子入射阴极的能量分布和角度分布。模拟基于离子与中性原子的电荷转移碰撞和弹性散射两种物理过程 ,并且分别考虑了碰撞截面与能量相关和不相关两种情况。同时较为系统地研究了放电参数对离子能量分布和角度分布的影响。
- 毛友德刘艳金传恩
- 关键词：辉光放电等离子体鞘层蒙特卡罗模拟计算机模拟
- 金属剥离技术在声表面波滤波器中应用研究
- 1998年
- 本文采用金属剥离技术在ＬｉＮｂＯ３基片上成功地制备了１４０ＭＨｚ声表面波带通滤波器。通过选择最佳工艺参数，提高了声表面波滤波器的性能。
- 程知群毛友德
- 关键词：声表面波滤波器
- Mo衬底生长金刚石薄膜表面晶形研究被引量：3
- 1993年
- 用HFCVD方法在Ho衬底上进行了金刚石薄膜生长研究,观察到在不同的反应压强条件下,金刚石薄膜晶粒的三种形貌,并且讨论了反应条件对晶粒形貌的影响以及菜花状大晶粒的构成机理。
- 杨国伟毛友德
- 关键词：金刚石晶体形态学
- DLC膜改善扬声器性能的研究被引量：2
- 1994年
- 本文介绍了在普通扬声器上涂覆ＤＬＣ膜的工艺，并测试了其性能，结果表明ＤＬＣ膜对扬声器的性能有明显改善。
- 刘声雷毛友德
- 关键词：扬声器类金刚石碳膜
- HFCVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术被引量：1
- 1993年
- 本工作研究了在热丝(HF)CVD法生长金刚石薄膜中的热丝技术,给出了一种通常作为热丝的钨丝的实用性预处理方法,并且研究了热丝温度分布对生长膜厚度的影响,发现膜厚分布与基片表面温度分布是一致的。
- 杨国伟毛友德
- 关键词：金刚石热丝
- PD-1型等离子体沉淀积设备
- 毛友德王和照
- 该设备利用高频辉光放电产生等离子体，进行薄膜的化学气相沉淀，主要用于沉淀氩化非晶硅钝化膜及其他薄膜材料。也可用于非晶硅膜德等离子体刻蚀。主要技术参数为：装片容量￠35mm，26片；￠75mm，4片。膜厚不均性＜10%。排...
- 关键词：
- 关键词：等离子体
- 旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
- 2001年
- 旁栅效应是制约 Ga As器件及电路性能的有害寄生效应。文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压 Vth SG与旁栅距 LSG的关系 ,发现 Vth SG与 LSG成正比关系。这一结论对数字电路设计具有重要指导意义 ,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅 VSW选择器件之间的最小距离
- 丁勇毛友德夏冠群赵建龙
- 关键词：旁栅效应碰撞电离MESFET
- CVD生长金刚石薄膜衬底负偏压增强成核效应被引量：3
- 1996年
- 基于已经得到的实验结果的分析，本文较详细地讨论了低压化学气相沉积（ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中，衬底负偏压对金刚石成核的增强效应，明确阐述了负偏压增强成核的作用机理，并且讨论了这种效应作为提高金刚石在非金刚石衬底表面成核密度的一种方法所具有的优点以及存在的不足。
- 杨国伟毛友德
- 关键词：金刚石薄膜成核CVD
