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詹琰

作品数:11 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海汽车工业科技发展基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇砷化镓
  • 7篇MESFET
  • 6篇阈值电压
  • 5篇均匀性
  • 5篇GAAS
  • 3篇电路
  • 3篇通信
  • 3篇阈值电压均匀...
  • 2篇判决电路
  • 2篇旁栅效应
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤通信
  • 1篇单电源
  • 1篇电源
  • 1篇自动测试系统
  • 1篇金属
  • 1篇开关
  • 1篇集成电路
  • 1篇光通信
  • 1篇光照

机构

  • 9篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 11篇詹琰
  • 10篇夏冠群
  • 5篇朱朝嵩
  • 5篇赵建龙
  • 3篇李传海
  • 3篇王永生
  • 2篇赵福川
  • 2篇范恒
  • 2篇吴剑萍
  • 2篇刘汝萍
  • 1篇李传海
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇冯明
  • 1篇胡少坚
  • 1篇李拂晓
  • 1篇陈新宇

传媒

  • 4篇功能材料与器...
  • 3篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇全国化合物半...

年份

  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 6篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1999
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
砷化镓阈值电压自动测试系统的研制
2001年
介绍了砷化镓阈值电压的测试原理和测试方法,并完成了Φ3砷化镓阈值电压自动测试系统的设计与研制。该系统包括自动探针台、测量设备和相应的软件。自动探针台的定位精度为10μm,分辨率为2.4μm,速度为251mm/s。阈值电压测量精度为1mV。该系统可进行Φ3砷化镓圆片的MESFET器件参数的自动测量、存储和运算,能给出圆片的阈值电压分布图。该系统还可用于大圆片的电阻率、欧姆接触电阻、背栅电压和光敏特性等的测量。
朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
关键词:阈值电压均匀性砷化镓自动测试系统
背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响被引量:3
1999年
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离GaAs MESFET的阈值电压及其均匀性的影响.结果表明,背栅效应使GaAs MESFET的阈值电压绝对值变小,均匀性变差.
刘汝萍赵建龙夏冠群吴剑萍顾成余詹琰
关键词:MESFET砷化镓背栅效应均匀性
高速光纤通信用定时恢复判决电路
2001年
对光纤通信用定时恢复判决电路进行了研究 ,设计了由 1μ m耗尽型 GaAs金属-半导体势 垒场效应晶体管 (MESFET)器件构成的判决电路和时钟提取电路。判决电路的基本单元为源耦合 场效应晶体管逻辑 (SCFL)电路 ,时钟提取电路由预处理器和锁相环构成。模拟分析表明 ,时钟提 取电路可从输入信号中提取判决电路所需的时钟脉冲 ,频率达 2.5GHz,判决电路可对输入信号进 行正确的" 0"、" 1"判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率达 2.5Gbit/s。实测电路 可正确判决 ,时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率达 2.5Gbit/s。
詹琰王永生赵建龙夏冠群孙晓玮范恒
关键词:GAASMESFET判决电路高速光纤通信
不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
2001年
分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET
刘汝萍夏冠群赵建龙吴剑萍詹琰
关键词:阈值电压砷化镓
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
关键词:砷化镓旁栅效应
文献传递
光照对阈值电压均匀性的影响
2002年
研究了光照对砷化镓阈值电压均匀性的影响 .结果表明光照使耗尽型 MESFET器件的沟道电流增大 ,使阈值电压向负方向增加 ,并提高了阈值电压的均匀性 .研究认为砷化镓单晶材料的深能级缺陷是影响 MESFET阈值电压均匀性的重要因素之一 。
朱朝嵩夏冠群李传海詹琰
关键词:砷化镓MESFET阈值电压光照均匀性
MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
2000年
研究了MESFET的源漏电压对旁栅阈值电压的影响和旁栅间距与旁栅阈值电压的关系。结果表明源漏电压的大小对旁栅阈值电压有一定的影响,旁栅阈值电压的大小与旁栅间距大致成正比。
詹琰夏冠群赵福川李传海朱朝嵩
关键词:砷化镓MESFET
A 2 .5Gb/s GaAs MESFET Clock Recovery and Decision Circuit
2001年
A 2 5Gb/s depletion mode GaAs MESFET clock recovery and decision circuit is described,which applies to the optical fiber communication.The circuit consists of a clock recovery circuit,including a preprocessor,phase detector(PD),low pass filter(LPF) and voltage controlled oscillator(VCO) and a decision circuit,including a comparator and a latch.The SPICE simulation result confirms the high frequency 2 5GHz of the clock recovery and the high speed 2 5Gb/s of the decision circuit.The 2 5Gb/s decision circuit has proved to be able to deal with the input signal and produce a digital output signal after it being sampled by a clock signal.
詹琰夏冠群王永生赵建龙朱朝嵩
关键词:GAASMESFETDECISION
GaAs霍尔开关集成电路的研制被引量:6
2003年
成功地设计并制造出GaAsMESFET霍尔开关集成电路。该电路采用了方形霍尔元件,绝对灵敏度为704mV/T;信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成,触发电路结构类似于SCFL的D触发器。结果表明,开关性能良好,工作点合理,达到设计要求。实验结果还表明,霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路。
胡少坚夏冠群冯明詹琰陈新宇蒋幼泉李拂晓
关键词:磁传感器开关GAAS集成电路
超高速单电源GaAs判决再生电路
2001年
设计并模拟分析了光纤通信用超高速单电源 Ga As判决再生电路 ,采用非掺 SI Ga As衬底直接离子注入、1μm耗尽型 Ga As MESFET、平面电路工艺研制出单片 Ga As判决再生电路。实验测试结果表明 ,该电路可对输入信号进行正确的“0”、“1”判决 ,并经时钟抽样后 ,输出正确的数字信号 ,传输速率可达 2 .8Gbit/s,可用于覆盖 2 .
詹琰王永生赵建龙夏冠群孙晓玮范恒
关键词:光纤通信电源砷化镓
共2页<12>
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