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张敏

作品数：1 被引量：11H指数：1
供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇碳膜
  • 1篇金刚石膜
  • 1篇类金刚石
  • 1篇类金刚石膜
  • 1篇类金刚石碳膜
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇杜开瑛
  • 1篇石瑞英
  • 1篇廖伟
  • 1篇谢茂浓
  • 1篇张敏

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构被引量：11
1999年
以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明，在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间，相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明，氧在成膜过程中是影响最大的因素。
杜开瑛石瑞英谢茂浓廖伟张敏
关键词：类金刚石膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
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