谢茂浓
- 作品数：26 被引量：34H指数：4
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学电气工程更多>>
- 聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性被引量：5
- 1999年
- 红外吸收谱分析表明，聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ，ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．
- 谢茂浓傅鹤鉴
- 关键词：聚硅烷氧等离子体处理
- 物理类普物实验课教学内容现代化改革与实践
- 1997年
- 随着我国经济、社会的发展,经济体制改革的不断深入,社会对应用型理科人才的需要也不断增长,为了使我国的理科教育适应这一发展形势,国家教委1990年在兰州召开了理科教育工作会议,会上确定了在重视面向科学、教育事业加强和保护基础性科学研究和教学人才培养的同时,应努力扩大理科教育的服务面向,采取多种形式,把多数理科毕业生培养成为具有良好科学素养的应用性人才的办学方针,即'加强基础、重视应用、分流培养'的原则;
- 朱世国谢茂浓胡险峰
- 关键词：实验课教学
- 直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构被引量：11
- 1999年
- 以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明，在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间，相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明，氧在成膜过程中是影响最大的因素。
- 杜开瑛石瑞英谢茂浓廖伟张敏
- 关键词：类金刚石膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- 真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理被引量：2
- 1998年
- 对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２～５×１０１１ｃｍ－２。
- 谢茂浓杜开瑛文芳
- 关键词：CVD法二氧化硅
- 直接光CVDSiO_2膜的沉积动力学
- 2000年
- 讨论了SiH4 +O2 混合气体在真空紫外光辐照下的光化学反应和SiO2 膜的沉积过程。根据光吸收定律和附面层理论推导出了直接光CVDSiO2 膜的沉积速率方程 ,这个方程与大量实验结果符合较好。
- 张明高谢茂浓郑光平
- 关键词：真空紫外光化学汽相沉积二氧化硅沉积动力学
- 聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究被引量：5
- 1997年
- 采用３０８ｎｍＸｅＣｌ准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应，利用玻璃片为基底，旋转涂布，分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层，以聚硅烷为成像层和阻挡层，构成双层工艺，进行接近式曝光，用混合溶剂显影，并通过Ｏ２－ＲＩＥ处理，最终得到了亚微米的光刻图形．
- 傅鹤鉴李高全谭键马洪马洪谢茂浓
- 关键词：聚硅烷光降解光刻准分子激光
- 枝状聚硅烷的合成与表征被引量：6
- 2001年
- 用“顺点滴式”方法改进了单体合成 ,较原“全混式”提高了产率 ,降低了消耗 ;用Wurtz法以二氯硅烷和三氯硅烷为原料 ,经“预聚”和“混聚”
- 马洪苏志珊曾红梅彭志坚傅鹤鉴陈德本谢茂浓
- 关键词：二氯硅烷
- 微型计算机在温度检测系统中的应用
- 1995年
- 微型计算机在温度检测系统中的应用朱世国，谢茂浓（四川大学物理系）一、前言计算机检测和控制技术已广泛应用于工业生产、科学研究和物理实验中，模数转换和接口技术是计算机在这些领域内应用技术中不可缺少的重要组成部分，为了加强学生这些方面的训练，我们开设了计算...
- 朱世国谢茂浓
- 关键词：微机应用温度测量温度传感器
- 低频阻抗标准的初步研究被引量：1
- 1993年
- 研究了建立低频段(10~5Hz范围内)阻抗标准的问题,提出了以金属膜电阻器建立阻抗标准的设想;由这类电阻器建立的低频段阻抗标准,不确定度达5×10^(-4)或更高,具有频率范围宽、准确度高等优点,可实现低频段阻抗的直接计量而勿需进行频率修正。
- 张明高涂叔鼎谢茂浓龙汉仪张启友
- 关键词：低频金属膜电阻器
- 电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响
- 2003年
- 利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加而发生漂移 ,但其漂移量低于同一实验环境中干氧氧化生长的SiO2
- 向少华谢茂浓张明高
- 关键词：平带电压聚硅烷抛光硅片
