杜开瑛
- 作品数：15 被引量：27H指数：3
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构被引量：11
- 1999年
- 以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 、扫描电子显微镜（ＳＥＭ） 等手段进行了初期成膜结构的测试分析。测试结果表明，在所有三种衬底上均能淀积生成ＤＬＣ 膜。其中Ｃ１ｓ 态原子的含量在６９ ．９８ ％ ～７４ ．６０ ％ 之间，相应的键合能为２８５ ．０ ～２８５ ．６ ｅＶ。淀积膜是以ＳＰ２ 键结构为主的ＤＬＣ膜。实验结果也表明，氧在成膜过程中是影响最大的因素。
- 杜开瑛石瑞英谢茂浓廖伟张敏
- 关键词：类金刚石膜X射线光电子能谱扫描电子显微镜
- 真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理被引量：1
- 1998年
- 对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等效极化电荷数为２～５×１０１１ｃｍ－２。
- 谢茂浓杜开瑛文芳
- 关键词：CVD法二氧化硅
- 由低温退火轻掺杂控制a－Si：H膜的固相晶化成核被引量：4
- 1994年
- 通过低温退火工艺以实现ａ－Ｓｉ：Ｈ膜的局部ｎ型轻掺杂，控制了固相晶化过程中的成核中心密度，获得了较大晶粒的良质多晶硅膜。有关测试结果表明：晶化过程是较均衡地沿（１１１），（２２０），（３１１）晶向进行，而按（１１１）晶向择优取向，测得晶粒粒径１μｍ，迁移率９２．７ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ，室温暗电导率在１０￣－２—１０￣（－４）ｓ／ｃｍ之间，在８００—１０００ｎｍ波段的吸收系数为１０￣４ｃｍ￣（－１）的数量级，相应的吸收效率６０％。由吸收能谱图测得晶化膜的光学能隙宽度在１．１６—１．２２ｅＶ之间。为了进行对比，对重掺杂的ｎ￣＋ａ－Ｓｉ：Ｈ膜退火试样也作了相应的论述。
- 杜开瑛饶海波
- 关键词：多晶硅膜晶化退火成核
- 光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系
- 1998年
- 依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。
- 石瑞英杜开瑛郭永康姚军张怡霄崔铮
- 关键词：投影光刻掩模光学效应
- 非晶硅光位敏探测器的开发
- 1993年
- 以横向光伏效应为工作模式,采用全非晶硅的Pin结构,研制了一维可见光波段的光位敏探测器(PSD_s).测试结果表明,该探测器的光位敏度可达9.7mV/mm,光讯号—位移的线性探测区占有效探测总面积的65％,而最大有效光敏面积约为2cm^2.
- 杜开瑛杨熹伍红跃冯良桓周心明邱上源
- 关键词：非晶硅探测器
- 非晶硅低温氧化工艺的研究
- 1993年
- 利用具有强氧化作用的硝酸和硫酸混合液,对常温、常压下的非晶硅氧化过程进行了初步研究,获得了预期的结果。1 实验方法以C-Si（单晶硅）为衬底的a-Si片作为实验样片。实验前,先用HF:NH4F:H20=3:6:10的SiO2腐蚀液清洗样片,以去除样片表面的自然氧化层。实验时,再将已清洗的样片放入盛装HNO3:H2SO4=2:l混合液的磨口瓶中,并密封加盖以防酸液挥发。
- 陈义杜开瑛
- 关键词：非晶硅二氧化硅
- 衬底材料对直接光化学汽相淀积类金刚石碳膜成膜初期的影响被引量：18
- 1999年
- 以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长．通过光电子能谱（ＸＰＳ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）的测试与观察，研究了在同样工艺条件下不同衬底材料对ＤＬＣ膜成膜初期碳原子的吸附、凝聚及成核过程．实验结果表明，不同的衬底材料淀积效果不同，钼的淀积效果较好，硅的较差．此外。
- 石瑞英杜开瑛谢茂浓张敏廖伟
- 关键词：类金刚石膜衬底材料VUVCVD
- 直接光CVD SiO_2膜沉积速率的研究
- 1999年
- 根据光吸收定律和边界层理论 ,得到了直接光CVDSiO2 膜的沉积速率方程RSiO2 =∑ i,j,λKiDiNSiO2ρU0μLI0λ[1-e- (βj·PjCTPT·X) ],此方程与实验结果基本相符 .
- 谢茂浓杜开瑛石瑞英
- 关键词：光化学反应沉积速率二氧化硅膜
- 衬底温度对直接光CVD SiO_2薄膜特性的影响被引量：1
- 2002年
- 采用以低压氙 (Xe)气激发真空紫外光作光源 ,以 Si H4和 O2 作反应气体的直接光 CVD技术淀积 Si O2 薄膜 .通过椭圆偏振法、红外光谱法、C- V特性法对不同衬底温度下淀积的 Si O2 薄膜的特性进行研究 .结果表明 :衬底温度在 40～ 2 0 0℃范围内 ,薄膜的折射率在 1.40～ 1.46之间 ,在沉积膜的红外光谱中未出现与 Si— H、Si— OH相对应的红外吸收峰 .Si O2 薄膜中固定氧化物电荷密度受衬底温度影响较大 ,其最小值可达 1.73× 10 1 0 cm- 2 .
- 刘玉荣杜开瑛李观启
- 关键词：衬底温度氧化硅气相沉积
- 微波激励氙VUV光源直接光CVD设备及其应用
- 1993年
- 新发展的光CVD(化学汽相淀积)材料,由于具有无辐射损伤,能进行低温、大面积生长,衬底材料选择自由度大,可淀积生长单层的和多层的各种绝缘膜、半导体膜、金属膜,以及能形成非晶、微晶、混晶等各种晶相材料等一系列优势,颇为引人注目,在材料科学领域中占有重要的位置。引用光的能量实现膜材料的光CVD生长,其基本条件是光源发射光子的能量能被反应气体有效吸收,并使其充分分解。分解后的产物通过与衬底表面的相互作用。
- 杜开瑛周心明
- 关键词：氙化学汽相淀积
