李伟
- 作品数：14 被引量：23H指数：3
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 金属网格与金属谐振环复合结构的太赫兹透过特性
- 2013年
- 本文根据SOI(Silicon-on-insulator)材料在太赫兹波段不透过太赫兹的特点,提出一种加工基于微机电系统(MEMS)可调谐太赫兹器件的新方案,并设计出与梳齿驱动加工工艺十分兼容的金属结构。此结构由金属网格和金属谐振环阵列复合构成,静态的测试表明结构在太赫兹波段显出带通滤波的特性,通过改变两个元件之间的位置,能够实现0.410.53THz带通调谐。此结构加工方法简单,加工过程中只需要一块掩膜版,并且金属结构在MEMS梳齿结构释放之前就已经光刻形成,不需要两个图形的对准工艺,同时也避免了后续光刻对加工好MEMS梳齿结构的破坏。金属网格和金属谐振环构成的复合结构为微机电系统(MEMS)可调谐太赫兹器件提供了一种简单经济的加工方案和新的结构,具有较大的理论价值和实际意义。
- 熊伟姚军李伟沈京玲
- 关键词：太赫兹人工电磁材料微机电系统
- Mullite短纤维/Al-Cu-Mg复合材料界面微结构研究
- 2011年
- 研究用挤压铸造方法制备Mullite/Al-Cu-Mg复合材料,用透射电镜(TEM)观察了淬火态及时效态复合材料的微观组织。结果表明,莫来石(Mullite)短纤维组织致密但分布不均;在淬火态复合材料纤维/基体界面和Si晶体/基体的界面附近基体一侧中发现存在高密度位错;Mullite/Al-Cu-Si复合材料的界面以非平衡共晶MgAl2O4沉淀相为主。
- 张先菊李伟
- 关键词：莫来石短纤维铝基复合材料
- 10G EPON下行传输加密方案的研究
- 2009年
- 10G EPON是下一代宽带接入网的发展趋势以及重要解决方案,然而,由于PON系统点到多点的通信机制,安全问题是必须解决的关键技术之一[1]。文章根据IEEE 802.3av协议,分析了10G EPON系统中仍然存在的安全问题,介绍了AES(128)加密算法和流程,着重研究了AES加密算法在10GEPON中的应用并给出了对10G EPON下行帧传输的加密解决方案。
- 周宇张长明李伟
- 关键词：EPONAVAES加密
- 激光熔覆原位合成TiC/Ti复合材料试验研究被引量：11
- 2005年
- 利用激光熔覆技术,在工业纯钛表面原位合成了 TiC/Ti复合材料。结果表明:选择不同的激光熔覆工艺参数,可使碳粉和Ti粉通过原位合成反应在钛表面生成TiC/Ti复合材料熔覆层;激光功率和扫描速率是影响熔覆层质量的主要因素:激光功率越大,形成的增强相颗粒尺寸越大,相应合金元素氧化也越严重;扫描速率越大,Ti与 C的作用时间变短,增强相颗粒尺寸越细小,且增强相所占的体积分数也相应减少。用 XRD、DES和 SEM证明了 TiC颗粒的存在,同时发现颗粒分布具有一定的均匀性,原位生成的TiC颗粒主要以等轴状和块状两种形态存在。
- 廖乃镘张先菊李伟范洪远黄文容
- 关键词：激光熔覆原位反应合成TIC钛基复合材料
- 聚合物波导M-Z调制器TM模的泰勒级数展开法研究
- 2008年
- 根据聚合物脊型波导的结构特点,利用有效折射率法求出其横向折射率分布,将三维传播转化为二维传播,并从标量波动方程出发,在傍轴近似的情况下,采用Crank-Nicholson差分格式,得到了泰勒级数展开法基本计算格式,并对算法进行了适当优化;通过对Mach-Zehnder光波导TM模的模拟,分析了各种参数对损耗的影响。结果表明:泰勒级数展开法具有精度高、稳定性好、算法简单、易于编程等优点,是一种比较理想的光波导数值分析方法,可为聚合物电光调制器的设计制作提供理论参考。
- 李晨廖进昆蒋亚东李伟陆荣国韩莉坤高宇
- 关键词：电光聚合物TM模有效折射率法
- 太赫兹波段单层复合型人工电磁材料的研究
- 2013年
- 利用微细加工技术,制作出太赫兹波段人工电磁材料,从实验和理论上研究了金属矩形阵列在太赫兹波段的谐振频率及带宽与矩形长度的关系。并利用谐振频率随矩形孔长度增大而向低频移动的特性,在同一层金属上,将两个不同尺寸的金属矩形结构复合在同一个周期内,制作出单层复合型人工电磁材料。模拟和实验结果表明,单层复合型人工电磁材料实现了调节中心频率、频率拓宽以及多频段带阻功能。此研究为太赫兹滤波器等无源器件提供了新的设计思路和加工方法,对太赫兹科学技术的发展和应用具有重要意义。
- 熊伟姚军李伟沈京玲
- 关键词：太赫兹人工电磁材料
- 含新型发色团的非线性光学聚合物体系的热性能研究
- 2009年
- 分别对掺杂了新型发色团分子的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和纯的PMMA进行了热重分析,得到了2种体系在不同质量损失下的温度并计算了积分程序分解温度(IPDT)。结果表明,掺杂后聚合物体系的热稳定性好于纯的PMMA。采用Achar方法和Coats-Redfern方法对2种体系热降解的动力学过程进行了分析,得到了对应的非等温动力学方程。
- 韩莉坤蒋亚东李伟秦开宇刘强
- 关键词：发色团热重分析热降解
- ADN掺杂的高效率红光有机电致发光器件的制备被引量：1
- 2008年
- 针对目前红光有机电致发光器件普遍存在效率低的缺点,以9,10-di-beta-naphthylanthracene(AND)为主体材料,利用真空蒸镀双掺杂的方法,制备了基于ADN的结构为ITO/N,N'-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N'-diphenyl]-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamineNPB/ADN:AlQ(20%):DCJTB(2%)/AlQ/Mg:Ag/Al的红光掺杂器件。测试结果表明该器件亮度可以达到3000cd/m2,EL光谱的峰值为598nm,色纯度CIE坐标为(0.59,0.41),最大流明效率为2.54lm/W,比AlQ为单一主体材料的红光掺杂器件性能有很大的提高。
- 于军胜李璐季兴桥黎威志王涛李伟
- 关键词：掺杂有机电致发光红色发光
- 掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究被引量：3
- 2007年
- 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低。
- 史磊李伟匡跃军廖乃镘蒋亚东
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积电阻率电阻温度系数
- 基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响
- 2009年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响。结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随着基片温度的增加而迅速下降,并在250℃达到最低值;a-Si:H薄膜的折射率随着基片温度的增加而增大,但光学带隙随着基片温度的增加而减小。
- 金鑫李远程邓坤陈宇翔李伟
- 关键词：基片温度A-SI:H薄膜RF-PECVD电阻率光学性能
