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何建芳

作品数：18 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 13篇掩模
  • 11篇光刻
  • 7篇光源
  • 6篇光刻工艺
  • 5篇仿真
  • 4篇仿真方法
  • 3篇等离子体
  • 3篇多层膜
  • 3篇表面等离子体
  • 2篇氧化物
  • 2篇直线式
  • 2篇周期
  • 2篇阻挡层
  • 2篇线条
  • 2篇斜线
  • 2篇禁止
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘薄膜
  • 2篇刻蚀
  • 2篇基板

机构

  • 18篇中国科学院微...
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 18篇何建芳
  • 17篇韦亚一
  • 13篇张利斌
  • 8篇董立松
  • 6篇粟雅娟
  • 2篇王文武
  • 1篇陈文辉

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 4篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 3篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于表面等离子体多层膜结构的掩模吸收材料的优化方法、等离子超体透镜
本发明提供了一种基于表面等离子体多层膜结构的掩模吸收材料的优化方法，包括以下步骤：S1)构建多组具有不同掩模吸收层参数的多层膜超透镜结构；S2)通过软件建模仿真光在多层膜超透镜结构中的光学行为，获得在基底层上涂覆的光刻胶...
何建芳韦亚一丁虎文
一种确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法
本发明涉及确定光刻工艺节点禁止周期的方法及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了方法存在所找出的禁止周期不准确，无法有效指导版图设计规则的制定，并且在光刻阶段无法判断个别图形光刻质量差的原因的问题。确定光刻工艺节点禁止...
何建芳韦亚一粟雅娟董立松张利斌苏晓菁陈睿马玲
文献传递
一种基板及其制备方法
本发明实施例提供一种基板及其制备方法，涉及半导体领域，可使阻挡层中各个阻挡部的高度一致，从而有利于后续形成栅极。一种基板的制备方法，包括：在衬底上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层背离所述衬底的表面具有间隔设置的多个凹槽；在...
陈睿韦亚一唐明浩张利斌马乐粟雅娟董立松何建芳王文武
文献传递
光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法
本发明涉及光刻工艺技术领域，具体涉及一种光刻仿真中斜线图形的光源掩模优化方法、工艺窗口形成方法以及光刻方法，包括以下步骤：将待优化的斜线图形朝第一旋转方向旋转，直至每根线条处于X方向或者Y方向，得到第一图形，进行光源优化...
何建芳韦亚一张利斌高澎铮张双
表面等离子体光刻图形的修正方法
本发明公开了一种表面等离子体光刻图形的修正方法，包括：在测试掩模上形成多个测试图形，每个测试图形至少由第一测试参数和与第一测试参数相关的第二测试参数表征；利用含有测试图形的测试掩模对光刻胶层进行曝光，形成多个光刻胶图形，...
马乐韦亚一张利斌何建芳
光源掩模协同优化的原理与应用被引量：3
2017年
当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限。光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前常规光刻技术的生存周期。综述了SMO这一技术,分析了SMO的原理,介绍了该技术的发展和在半导体制造工艺中的应用,重点探讨了其在先进光刻节点研发中的应用,并对其挑战和发展趋势进行了展望,认为SMO不仅是193 nm浸润式光刻技术的重要组成部分,也将是EUV光刻中必不可少的一种技术。
陈文辉何建芳董立松韦亚一
关键词：分辨率增强技术
提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法
本发明涉及一种提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中无法有效抑制禁止周期效应和密集周期线条相互制约，传统OPC(光学临近效应修正)难以平衡解决，导致整个版图的工艺窗口变小...
何建芳韦亚一董立松张利斌陈睿张双
用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质
本发明能够提供用于优化光刻工艺窗口的方法及装置、计算机存储介质。用于优化光刻工艺窗口的方法包括：获取理想光刻条件下的理想光源信息和理想掩模信息，依据理想光源信息和理想掩模信息生成理想光刻条件下的工艺窗口信息；基于工艺窗口...
张双韦亚一张利斌盖天洋何建芳
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本申请实施例提供了一种半导体器件的制造方法，在待引出结构上形成光刻涂层，光刻涂层包括第一膜层、光刻膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层的折射率都小于1，以便光刻涂层形成一个反射系数较高的光学结构，利用目标波长的光和掩模对光...
张利斌韦亚一宋桢粟雅娟何建芳马乐
文献传递
提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法
本发明涉及一种提高版图光刻性能的方法、修正后的版图及仿真方法，属于半导体光刻技术领域，解决了现有技术中无法有效抑制禁止周期效应和密集周期线条相互制约，传统OPC(光学临近效应修正)难以平衡解决，导致整个版图的工艺窗口变小...
何建芳韦亚一董立松张利斌陈睿张双
文献传递
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