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王文武

作品数：410 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 392篇专利
  • 17篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 138篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 8篇一般工业技术
  • 5篇交通运输工程
  • 4篇经济管理
  • 3篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇农业科学
  • 1篇理学

主题

  • 192篇半导体
  • 144篇半导体器件
  • 76篇刻蚀
  • 69篇沟道
  • 68篇纳米
  • 61篇晶体管
  • 54篇纳米线
  • 51篇衬底
  • 45篇金属栅
  • 40篇介质层
  • 38篇电子设备
  • 38篇阈值电压
  • 37篇迁移率
  • 36篇金属
  • 35篇栅极
  • 34篇叠层
  • 33篇界面层
  • 29篇退火
  • 26篇导体
  • 25篇迁移

机构

  • 410篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院大...
  • 2篇北方工业大学
  • 1篇贵州大学
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 410篇王文武
  • 157篇李永亮
  • 116篇李俊杰
  • 92篇王晓磊
  • 91篇李俊峰
  • 82篇殷华湘
  • 79篇罗军
  • 68篇马雪丽
  • 58篇赵超
  • 55篇杨红
  • 55篇高建峰
  • 53篇杨涛
  • 53篇陈大鹏
  • 46篇韩锴
  • 43篇张青竹
  • 34篇朱慧珑
  • 32篇陈世杰
  • 30篇王桂磊
  • 28篇叶甜春
  • 26篇李志华

传媒

  • 3篇微纳电子与智...
  • 2篇激光与红外
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇微电子学
  • 1篇光通信研究
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇前瞻科技

年份

  • 16篇2024
  • 57篇2023
  • 52篇2022
  • 55篇2021
  • 65篇2020
  • 38篇2019
  • 22篇2018
  • 7篇2017
  • 11篇2016
  • 10篇2015
  • 17篇2014
  • 10篇2013
  • 19篇2012
  • 21篇2011
  • 8篇2010
  • 2篇2009
共 410 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备
本发明公开一种半导体器件及其制作方法、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，以解决掩膜填充到器件的纳米片或线之间，影响该器件的阈值电压等电学性能的技术问题。该半导体器件的制作方法包括：提供多个半导体结构；每个半导体结...
李永亮程晓红王文武
一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法
本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所...
颜刚平许高博毕津顺习凯李博殷华湘王文武
文献传递
高性能半导体器件的形成方法
本发明提出了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供一个衬底；在衬底上形成源极区、漏极区、设置在所述衬底上位于所述源极区和所述漏极区之间的伪栅极结构和形成在所述衬底和伪栅极结构之间栅极介质层；对所述源极区和漏极区进行...
朱慧珑王文武
一种半导体器件的制备方法及半导体器件
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是由第一半导体形成的，纳米片是由第二半导体形成的，支撑结构的宽度小于纳米片的宽度；环绕式栅极，其...
张青竹殷华湘曹磊张兆浩顾杰田佳佳李俊杰姚佳欣李永亮张永奎吴振华赵鸿滨罗军王文武屠海令叶甜春
热电堆及其制作方法
一种热电堆及其制作方法，热电堆的制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在热电堆结构上形成正面保护膜；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用湿法腐蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行刻蚀...
周娜雷雨潇李俊杰卢一泓高建峰杨涛李俊峰王文武
文献传递
一种半导体器件的制造方法
本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，以降低三维叠层互补晶体管的制造难度，提升三维叠层互补晶体管的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：对半导体衬底进行图案化处理，以在半导体衬底上形成鳍状结构。鳍状结...
李永亮贾晓锋罗军王文武
一种半导体器件及其制造方法
一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成伪栅极区、在所述栅极区的侧壁上形成侧墙以及在伪栅极区两侧的半导体衬底内形成源漏区，所述伪栅极区包括界面层和伪栅电极；在所述伪栅极区以及源漏区上形成...
王文武赵超韩锴陈大鹏
文献传递
一种微电极结构及其制作方法及包括该器件的电子设备
本发明提出了一种微电极结构及其制作方法，包括：衬底；在衬底上方形成的刻蚀终止层；在刻蚀终止层上方形成由电极层和牺牲层交错堆叠而成的堆叠层，牺牲层覆盖电极层的部分表面；在电极层的未被牺牲层覆盖的裸露部分上方形成的金属层；在...
李俊杰王桂磊李永亮周娜杨涛傅剑宇李俊峰殷华湘朱慧珑王文武
文献传递
一种半导体结构的制备方法及半导体结构
本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法中，在源极沟槽和漏极沟槽内外延生长源极晶体结构和漏极晶体结构的过程中，在不同取向的晶面相交前即停止外延生长，之后采用各向同性的金属材料填充不同取向的...
李俊杰刘恩序周娜高建峰李俊峰罗军王文武
一种鳍状结构、半导体器件及其制备方法
本发明提供一种鳍状结构的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第一牺牲层；基于第一牺牲层，形成若干分立的第一牺牲鳍；形成第二牺牲层，第二牺牲层覆盖第一牺牲鳍的顶层、侧壁以及第一介质层的顶层；去除第一牺...
李俊杰李永亮周娜王桂磊殷华湘杨涛李俊峰王文武
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