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董立松

作品数：92 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 83篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 16篇电子电信
  • 10篇文化科学
  • 9篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 3篇理学

主题

  • 61篇光刻
  • 27篇掩模
  • 24篇矢量
  • 23篇光源
  • 22篇成像模型
  • 19篇光刻系统
  • 12篇梯度信息
  • 11篇掩膜
  • 10篇相干
  • 10篇相干光
  • 10篇相干光源
  • 10篇版图
  • 9篇衍射
  • 7篇掩模版
  • 7篇光学
  • 5篇透光
  • 5篇像差
  • 5篇晶圆
  • 5篇光刻工艺
  • 5篇光刻胶

机构

  • 60篇中国科学院微...
  • 33篇北京理工大学
  • 6篇中国科学院大...
  • 3篇中芯国际集成...
  • 3篇广东省大湾区...

作者

  • 92篇董立松
  • 60篇韦亚一
  • 31篇李艳秋
  • 27篇马旭
  • 19篇张利斌
  • 9篇粟雅娟
  • 8篇何建芳
  • 4篇刘琦
  • 4篇高杰
  • 4篇郭沫然
  • 3篇陈颖
  • 2篇赵利俊
  • 2篇王婧敏
  • 2篇刘昊
  • 2篇王文武
  • 2篇戴学兵
  • 2篇刘艳松
  • 2篇刘克
  • 2篇刘实
  • 1篇叶甜春

传媒

  • 3篇微电子学
  • 2篇光学学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2024
  • 10篇2023
  • 7篇2022
  • 6篇2021
  • 16篇2020
  • 4篇2019
  • 4篇2018
  • 6篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 9篇2013
  • 12篇2012
  • 4篇2011
共 92 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种获取套刻误差量测数据的方法及装置
本发明提供了一种获取套刻误差量测数据的方法及装置，包括：获取套刻误差的标记方式，根据标记方式确定套刻标记；基于套刻标记，确定线条上的量测区域，量测区域包括多组待量测区间，待量测区间的数量根据标记方式确定；针对每个量测区域...
马恩泽韦亚一张利斌董立松
文献传递
一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法
本发明提供了一种焦面位置测试掩膜版及确定焦面位置的方法，包括：阻光区，包括具有设定宽度的至少一个阻光图形；透光区，包括具有设定宽度的至少一个透光图形；测试图形区，包括至少两种测试图形，所述测试图形为具有设定深度及设定宽度...
董立松韦亚一宋之洋
文献传递
基于Abbe矢量成像模型获取非理想光刻系统空间像的方法
本发明公开了一种基于Abbe矢量成像模型获取非理想光刻系统空间像的方法，具体步骤为将掩模图形M栅格化为N×N个子区域；并根据部分相干光源的形状将光源面栅格化成多个点光源，用每一栅格区域的中心点坐标(x<Sub>s</Su...
李艳秋董立松马旭
先进工艺下的版图邻近效应研究进展
2020年
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距效应、有源区间距效应、NFET/PFET栅极边界邻近效应和栅极线末端效应。在此基础上,详细论述了这些二级效应的工艺背景、物理机理以及对器件电学性能的影响,归纳了目前常见的工艺改进方法。最后,从工艺角度展望了深纳米工艺尺寸下版图邻近效应的发展趋势。
王英菲张青淳苏晓菁董立松陈睿张利斌盖天洋粟雅娟韦亚一叶甜春
关键词：CMOS金属栅FINFET
添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用
本发明提供了一种添加亚分辨率辅助图形的方法及该方法的应用。该方法包括以下步骤：S1，从原始版图中截取具有周期结构的图形，得到待修正版图；S2，将待修正版图通过反向光刻技术进行修正，得到修正后版图，修正后版图包括符合成像要...
左晔华韦亚一刘艳松董立松
用于制造显示面板的掩模版及其参数确定方法
本申请公开一种用于制造显示面板的新型掩模版及其参数确定方法，该新型掩模版中，透光区域中包括衍射过渡区域，衍射过渡区域与遮光区域连接，衍射过渡区域中包括一组或多组间隔排列的过渡图形；过渡图形与透光区域和遮光区域相接的临界线...
郝芸芸韦亚一董立松陈睿
确定纳米光刻技术工艺窗口的方法
本发明提供一种确定纳米光刻技术工艺窗口的方法，所述方法包括：依据预定第一关键尺寸的单沟槽或单线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第一光强分布曲线；依据预定第二关键尺寸的多线条成像模型进行成像，获取多个聚焦值对应的第...
刘丽红韦亚一董立松张利斌丁虎文
一种基于Abbe矢量成像模型的光源-掩模交替优化方法
本发明提供一种基于Abbe(阿贝)矢量成像模型的光源-掩模交替优化方法，本方法设置光源图形像素值和掩模中开口部分以及阻光部分的透射率，设置变量矩阵Ω<Sub>S</Sub>和Ω<Sub>M</Sub>，将目标函数D构造为...
马旭李艳秋韩春营董立松
文献传递
一种基于Abbe矢量成像模型的光源-掩模混合优化方法
本发明提供一种基于Abbe(阿贝)矢量成像模型的光源-掩模混合优化方法，本方法设置光源图形像素值和掩模中开口部分以及阻光部分的透射率，设置变量矩阵Ω<Sub>S</Sub>和Ω<Sub>M</Sub>，将目标函数D构造为...
马旭李艳秋韩春营董立松
文献传递
一种掩模版缺陷修复方法及装置
本发明公开一种掩模版缺陷修复方法及装置，涉及光刻技术领域，以快速准确的修复各种图形的掩模版的缺陷，使得掩模版缺陷的修复方式具有普适性。所述掩模版缺陷修复方法包括：接收掩模版的几何结构信息；根据所述掩模版的几何结构信息对掩...
吴睿轩韦亚一董立松
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