李阳
- 作品数：12 被引量：37H指数：3
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- 水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用被引量：15
- 2001年
- 近年来,水热法用于纳米粉体和纳米材料制备、超导材料处理等前沿课题的研究,已引起人们的高度重视。按研究对象和目的的不同,水热法可分为水热晶体生长、水热合成、水热反应、水热处理、水热烧结等,分别用来生长各种单晶,制备超细、无团聚或少团聚、结晶完好的陶瓷粉体,以及在相对较低的温度下完成某些陶瓷材料的合成等。对水热技术的原理和发展,以及该技术在电子陶瓷粉体制备中的应用进行了介绍。
- 邓宏姜斌曾娟李阳王恩信
- 关键词：水热合成电子陶瓷纳米粉体
- 降低多输出通道功率芯片电磁辐射的设计
- 2017年
- 介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道的驱动模式进行研究。将实际测试的电磁辐射从原有的47dB·μV/m降低到36.8dB·μV/m,特别是在低于50MHz的低频区域内显著降低了电磁辐射的谐波分量,使得最终的准峰值(QPK)测试结果通过CISPR标准,并获得了3.2dB·μV/m的裕量。该方法可被广泛应用于其他类型的多通道输出功率芯片的电磁兼容整改工作中。
- 黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
- 关键词：LIGBT功率芯片电磁辐射
- 水热法在陶瓷粉体制备中的应用研究
- 近年来,水热法用于纳米粉体和纳米材料制备、超导材料处理和评价等前沿课题的研究,已引起人们的高度重视.按研究对象和目的的不同,水热法可分为水热晶体生长、水热合成、水热反应、水热处理、水热烧结等,分别用来生长各种单晶,制备超...
- 邓宏姜斌曾娟李阳王恩信
- 关键词：水热合成电子陶瓷纳米粉体
- 文献传递
- 脂肪族聚酯功能化研究进展
- 2014年
- 从六方面(卤化、羟基化、羧基化、氨基化、不饱和键功能化和其他功能化)综述了生物可降解线性脂肪族聚酯的功能化研究进展。参考文献60篇。
- 沈慧李阳刘钰
- 关键词：功能化
- 纳米ZrO2粉体的制备
- 以化学合成法制备纳米级ZrO粉体以及Y_O稳定ZrO粉体,加入混合分散剂并使用氨水和无水乙醇洗涤水合氧化锆以减少颗粒团聚.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)分析,对粉体的颗粒大小和晶相进行了研究.实验结果表明,...
- 姜斌李阳邓宏游文南王恩信
- 关键词：二氧化锆纳米粉体团聚分散剂
- 文献传递
- 微波-水热法合成PZT粉体的研究被引量：12
- 2001年
- 叙述了微波-水热法在制备电子陶瓷粉体中的应用，设计制造出基本满足使用要求的微波-水热反应釜，设计出微波-水热法制PZT压电陶瓷粉体的实验方案。制备了结晶完好、粒径分布均匀、平均粒径为2 ?m的PZT压电陶瓷粉体。
- 邓宏姜斌曾娟李阳李言荣王恩信
- 关键词：反应釜锆钛酸铅陶瓷
- 纳米氧化锆粉体的制备中团聚问题初探
- 以湿化学法制备纳米级氧化锆粉体,在制备过程中加入分散剂以及使用氨水和无水乙醇洗涤沉淀以减少颗粒团聚.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)对粉体进行了分析,并对团聚原理进行了探讨.实验结果表明,与原工艺相比硬团聚有...
- 李阳姜斌邓宏曾娟游文南
- 关键词：二氧化锆纳米粉体团聚分散剂透射电镜
- 文献传递
- 一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件
- 2017年
- 针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325V提高到403V,并且比导通电阻降低43%。
- 黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
- 关键词：击穿电压比导通电阻多电极
- ZnO基紫外探测器的研究进展与关键技术被引量：9
- 2007年
- 近年来,ZnO基紫外探测器由于其优异的光电特性,已成为紫外探测领域研究中的新热点之一。介绍了近年来国内外不同结构类型的ZnO基紫外探测器的研究状况,并对影响探测器性能的ZnO的光电导特性、薄膜微结构、掺杂、金半接触等关键技术进行了探讨,指出推动ZnO紫外探测器实用化进程的关键在于制备高质量的掺杂薄膜以及进一步提高器件的量子效率。
- 韦敏邓宏王培利李阳
- 关键词：ZNO紫外探测器MSM光响应度量子效率
- 低温烧结PNN-PZT陶瓷研究
- 采用在三元系固溶体PNN-PZT陶瓷中,添加MnO(0.1-5wt%)和Cd(NO)(0.1～5wt%),使PNN-PZT烧结温度较纯PZT陶瓷显著降低(从1200℃降到960℃),PZT的性能也获得改善.介电常数(ε)...
- 姜斌叶耀红李德红邓宏李阳曾娟王恩信
- 关键词：PNN-PZT压电陶瓷
- 文献传递
