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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇等离子
  • 1篇电磁辐射
  • 1篇电性能
  • 1篇电阻
  • 1篇多电极
  • 1篇多输出
  • 1篇正交
  • 1篇正交设计
  • 1篇钛酸
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  • 1篇微波介电
  • 1篇微波介电性能
  • 1篇芯片
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  • 1篇离子对
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能

机构

  • 4篇电子科技大学
  • 2篇四川长虹电器...

作者

  • 4篇黄勇
  • 2篇乔明
  • 2篇张波
  • 2篇周锌
  • 2篇梁涛
  • 2篇李阳
  • 1篇董颖韬
  • 1篇袁鹏飞
  • 1篇李波
  • 1篇范海霞
  • 1篇陈苑明
  • 1篇张树人
  • 1篇苏新虹
  • 1篇何为
  • 1篇周晓华
  • 1篇张磊

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇功能材料
  • 1篇2013中日...

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2013
  • 1篇2005
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
固相反应法制备MgTiO_3及其掺杂改性被引量:9
2005年
介绍了用固相反应法制备钛酸镁以及用CaTiO3、ZnNb2O6掺杂改善其微波介电性能。利用XRD图谱分析物相组成和含量,实验结果表明用固相反应法经过适当的热处理过程在MgO不过量的情况下可以合成纯净的钛酸镁。5%(原子分数)CaTiO3、6%(质量分数)ZnNb2O6掺杂得到的MgTiO3可在1300℃下烧结,且具有优异的微波介电性能:εr=21,τf=0,Q×f=130000(13GHz)。
黄勇周晓华张树人李波张磊
关键词:钛酸镁固相反应法微波介电性能
降低多输出通道功率芯片电磁辐射的设计
2017年
介绍了一种可降低多通道输出功率芯片电磁辐射的设计方法。该功率芯片具有96个独立的输出通道,对芯片的高压总供电和单路输出通道的驱动模式进行研究。将实际测试的电磁辐射从原有的47dB·μV/m降低到36.8dB·μV/m,特别是在低于50MHz的低频区域内显著降低了电磁辐射的谐波分量,使得最终的准峰值(QPK)测试结果通过CISPR标准,并获得了3.2dB·μV/m的裕量。该方法可被广泛应用于其他类型的多通道输出功率芯片的电磁兼容整改工作中。
黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
关键词:LIGBT功率芯片电磁辐射
等离子对刚挠结合板分层问题的优化研究
文章针对刚挠结合板制作过程中出现的分层问题,通过设计正交试验优化了等离子参数处理聚酰亚胺覆盖膜,分析了聚酰亚胺覆盖膜表面的粗糙度与接触角的相关关系,并通过拉力试验和热应力试验对比聚酰亚胺覆盖膜前后的层压效果.实验结果表明...
董颖韬何为陈苑明袁鹏飞范海霞黄勇苏新虹陈正清
关键词:刚挠结合板正交设计等离子
一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件
2017年
针对传统高压功率器件的击穿电压与比导通电阻始终相互矛盾的问题,提出了一种具有多电极结构的高压SOI LDMOS器件。该结构在漂移区的上方引入多个电极,每个电极偏置在不同的电位,器件正常工作时的电子电流聚集于漂移区表面,提供了一个低阻的导电通道,从而降低了比导通电阻。在漂移区引入多个额外电场峰值,提高了器件的击穿电压。与传统结构相比,新结构能够将击穿电压从325V提高到403V,并且比导通电阻降低43%。
黄勇李阳周锌梁涛乔明张波
关键词:击穿电压比导通电阻多电极
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