姜斌
- 作品数：33 被引量：118H指数：5
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 液晶阵列工艺中金属钼的干法刻蚀研究被引量：1
- 2007年
- 为了简化液晶面板制造工序,本文初步研究了在1.1 m×1.3 m的玻璃基板上,采用Cl2/O2气体对薄膜晶体管中沟道处的金属钼进行反应离子刻蚀。经过一组正交实验,分析了功率、气压、气体比例等参数对刻蚀速率、均匀度和选择比的影响关系,并给出了刻蚀后的扫描电镜(SEM)图和不同功率参数下薄膜电学特性曲线图。结果表明,本试验中气压是影响幅度最大的因素;另外,较高的功率会使钼对下层选择比严重变差。
- 荀本鹏邱海军姜斌王章涛
- 新型等离子体源及其应用被引量：2
- 2006年
- 为适应半导体技术的快速发展,需要寻求一些新的等离子体源。介绍了两种比较新颖的等离子体源———表面波等离子体(SWP,surface wave plasma)和磁中性环路放电等离子体(NLD,mag-netic neutral loop discharge)。前者的设备没有磁场,且结构简单,工作温度低,易于大面积化;而后者的设备可以通过改变其中性环路直径方便地产生各种形状的等离子体,可用于高深宽比刻蚀,也可用于大面积刻蚀。与传统等离子体源相比,它们具有明显的优势,有望成为下一代等离子体源。
- 荀本鹏邱海军姜斌
- 关键词：表面波等离子体等离子体源
- 智能气体传感器研究被引量：3
- 1996年
- 为了解决现有气体传感器分辨率差、稳定性也欠佳的问题，急需发展智能气体传感器技术。文中介绍了智能气体传感器的工作原理，利用三类不同气体传感器组成了气体传感器系统，用模式识别技术对６种不同气体不同浓度的３６个样本进行了测量和识别，并对６个未知样本进行测识，识别率可达１００％。
- 姜斌张金贵恽正中
- 关键词：气体传感器智能传感器模式识别
- 钙钛矿型氧化物SrTiO<,3>/BaTiO<,3>多层膜的激光分子束外延生长研究
- 用激光分子束外延技术在SrTiO<,3>(001)衬底上外延生长SrTiO<,3>/BaTiO<,3>多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原位实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的...
- 姚海军李燕罗佳慧姜斌邓宏蒋书文
- 关键词：多层膜原子力显微镜
- 文献传递
- 分形理论及其在电子陶瓷材料中的应用被引量：1
- 1994年
- 介绍了分形理论的基本内容，分形维数的意义及其测量方法，提出将分形理论用到电子陶瓷烧结形貌的分析上，为材料科学的研究提供了新手段。
- 姜斌恽正中
- 关键词：分形电子陶瓷
- 有机复合PTC热敏电阻的研制被引量：3
- 1994年
- 复合材料和复合技术是当今材料科学发展的热点，文中介绍了有机复合ＰＴＣ热敏材料的设计基础及工艺，详细讨论了工艺因素对ＰＴＣ热敏教材料性能的影响，给出了获得良好有机复合ＰＴＣ热敏材料的工艺条件。
- 姜斌扈胜利侯正则
- 关键词：PTC热敏电阻聚乙烯炭黑有机复合材料
- 钙钛矿型氧化物SrTiO3/BaTiO3多层膜的激光分子束外延生长研究
- 用激光分子束外延技术在SrTiO3(001)村底上外延生长SrTiO3/BaTiO3多层膜,通过反射式高能电子衍射(RHEED)原住实时监测并结合原子力显微镜(AFM),研究了不同基片温度下所生长薄膜的表面平整度,利用X...
- 姚海军李燕罗佳慧姜斌邓宏蒋书文
- 关键词：激光分子束外延多层膜原子力显微镜
- 文献传递
- 钛酸锶钡(BST)薄膜晶化过程研究被引量：2
- 2004年
- 采用射频磁控溅射(RF-magnetron sputting)法制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,用快速热处理(RTA)和常规热处理(CFA)对薄膜进行晶化。利用AFM、XRD等技术分析了钛酸锶钡薄膜的晶化过程,以及不同退火温度和退火方法下薄膜的晶粒、晶相特性。实验表明:钛酸锶钡薄膜在500℃开始结晶,到700℃左右时结晶比较完善,晶化过程中没有出现择优取向;从表面形貌和X射线衍射图综合分析,快速退火的晶化效果要优于常规退火。
- 孙晓峰姜斌蒋书文张鹰王恩信李燕黄文
- 关键词：晶化过程钛酸锶钡薄膜晶相BST快速退火
- 水热法在陶瓷粉体制备中的应用研究
- 近年来,水热法用于纳米粉体和纳米材料制备、超导材料处理和评价等前沿课题的研究,已引起人们的高度重视.按研究对象和目的的不同,水热法可分为水热晶体生长、水热合成、水热反应、水热处理、水热烧结等,分别用来生长各种单晶,制备超...
- 邓宏姜斌曾娟李阳王恩信
- 关键词：水热合成电子陶瓷纳米粉体
- 文献传递
- 水热法合成PLZT压电陶瓷粉体被引量：3
- 2000年
- 采用水热法合成了ＰＬＺＴ（９／６５／３５）多晶陶瓷粉体。讨论了反应温度、反应时间、矿化剂浓度等不同工艺条件对ＰＬＺＴ晶化过程的影响；得到了一组可以合成出纯钙钛矿相ＰＬＺＴ的工艺条件，即当反应温度为２００℃、矿化剂浓度为５ｍｏｌ、反应时间为１２ｈ时，生成的粉末为纯钙钛矿相结构。
- 姜斌曾娟邓宏王恩信
- 关键词：水热法压电陶瓷PLZT
