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陈楚雄

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇导通
  • 3篇导通损耗
  • 3篇双极晶体管
  • 3篇损耗
  • 3篇晶体管
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇绝缘栅双极晶...
  • 2篇导通压降
  • 2篇电导调制
  • 2篇阻断电压
  • 2篇槽栅
  • 1篇电感
  • 1篇电路
  • 1篇阳极
  • 1篇引脚
  • 1篇元胞
  • 1篇终端区
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇结终端

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇陈楚雄
  • 4篇张波
  • 4篇陈万军
  • 3篇刘超
  • 3篇陶虹
  • 3篇刘亚伟
  • 2篇唐雪峰
  • 1篇王泽恒

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2017
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电...
陈万军娄伦飞刘超唐雪峰胡官昊陈楚雄陶虹刘亚伟张波
文献传递
一种功率器件封装结构
本发明涉及一种功率器件封装结构。本发明功率器件封装结构具有4个外接引脚，新增加的一个外接引脚作为栅驱动源极，旁通了主电源源极导线和引脚的寄生电感，从而主电源的源极电感对栅驱动电路的影响将被消除，源电感引起的压降不再影响栅...
陈万军娄伦飞刘亚伟唐血峰刘超胡官昊陈楚雄陶虹张波
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法
本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而...
陈万军陈楚雄娄伦飞唐血锋陶宏胡官昊王泽恒张波
文献传递
1700V RC-IGBT的设计与仿真分析
IGBT是当前最主流的功率器件之一。为了降低制造和封装成本，人们提出了将IGBT和与其反并联的续流二极管集成在一起，成为逆导型IGBT（RC-IGBT）。RC-IGBT最大的特点是同时具有正向和反向导通能力，而同时带来最...
陈楚雄
关键词：集成电路IGBT器件芯片设计
一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电...
陈万军娄伦飞刘超唐雪峰胡官昊陈楚雄陶虹刘亚伟张波
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