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刘亚伟

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇导通
  • 5篇IGBT
  • 4篇导通压降
  • 4篇淀积
  • 4篇晶体管
  • 4篇绝缘栅
  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体
  • 3篇导通损耗
  • 3篇电流
  • 3篇元胞
  • 3篇栅极
  • 3篇栅介质
  • 3篇损耗
  • 3篇减薄
  • 3篇键合
  • 3篇功率半导体
  • 3篇功率半导体器...
  • 3篇封装
  • 3篇封装结构

机构

  • 19篇电子科技大学

作者

  • 19篇陈万军
  • 19篇刘亚伟
  • 14篇张波
  • 14篇刘杰
  • 14篇刘承芳
  • 5篇刘超
  • 5篇陶虹
  • 3篇陈楚雄
  • 2篇唐雪峰
  • 2篇夏云
  • 1篇程武

年份

  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 8篇2017
  • 3篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种逆导FS‑IGBT的制备方法
本发明属于半导体技术领域，具体的说是涉及一种逆导FS‑IGBT的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层(FS层)；所形成的FS层上通过光刻刻蚀，间隔注入N型杂质与P型杂质...
陈万军刘亚伟夏云刘承芳陶宏刘杰张波
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一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法。本发明在传统槽栅型绝缘栅双极晶体管的基础上，通过在P‑base区内引入了N型重掺杂层，当器件正向导通时，空穴电流在埋层下方横向流动，经Rb产生横向压降，当电...
陈万军娄伦飞刘超唐雪峰胡官昊陈楚雄陶虹刘亚伟张波
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一种功率半导体器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率半导体器件。本发明包括从下至上依次层叠设置的阳极金属、P型阳极区和N型衬底；所述N型衬底上层具有P型基区，所述P型基区上层具有相互独立的N型源区和N型发射区；所述N型衬底上表...
陈万军唐血锋刘超娄伦飞程武刘亚伟张波
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一种功率器件封装结构
本发明涉及一种功率器件封装结构。本发明功率器件封装结构具有4个外接引脚，新增加的一个外接引脚作为栅驱动源极，旁通了主电源源极导线和引脚的寄生电感，从而主电源的源极电感对栅驱动电路的影响将被消除，源电感引起的压降不再影响栅...
陈万军娄伦飞刘亚伟唐血峰刘超胡官昊陈楚雄陶虹张波
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一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管。本发明中的一种具有高输入电容的阴极短路栅控晶闸管结构，通过元胞内部引入额外的多晶硅栅极结构，进而增大器件的输入电容。本发明的有益效果为，不显著...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰
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一种横向IGBT
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种横向IGBT。本发明提出一种新的横向IGBT结构，通过抑制P阱区对漂移区非平衡空穴的抽取作用，增大发射极的电子注入效率，增强P阱区与漂移区所形成PN结附近的电导调制效应，进而减小...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰张波
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一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是一种双沟道MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要是在相同元胞宽度下增加多晶硅栅极的密度，从而在不改变掩膜版数目的情况下，增加栅极密度，从而增加了栅电容，减小栅极电压振荡，避免了栅...
陈万军刘承芳刘亚伟陶宏刘杰张波
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一种阴极短路栅控晶闸管版图设计方法
本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种阴极短路栅控晶闸管(CS‑MCT)的版图设计方法。本发明的方法主要是，使得元胞的栅结构形成沿水平方向的条形栅结构；将和结终端相连的一圈元胞定义为边缘元胞，其他元胞定义为内部元胞；...
陈万军左慧玲刘超刘亚伟邓操
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一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器
本发明属于电子技术领域，具体的说是涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明的主要包括由直流电源、CS‑MCT(M1)和负载构成的主回路和由直流电源、电容C、电感L、CS‑MCT(M2)、二极管(D1和D2)...
陈万军陶宏刘亚伟刘承芳刘杰
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一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管制备方法
发明提供一种场截止型反向导通绝缘栅双极型晶体管的制备方法。本发明的方法包括：在一块N型半导体硅片上通过离子注入N型杂质并推结形成场截止层；在形成的FS层上通过离子注入P型杂质并退火制作P型透明集电区；在形成的透明集电区上...
陈万军刘亚伟刘承芳陶宏刘杰张波
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共2页<12>
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