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刘超

作品数：171 被引量：23H指数：3
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金广东省重大科技专项四川省青年科技基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 141篇专利
  • 24篇学位论文
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 58篇电子电信
  • 14篇自动化与计算...
  • 5篇电气工程
  • 3篇经济管理
  • 3篇天文地球
  • 2篇医药卫生
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 36篇导通
  • 30篇半导体
  • 26篇晶闸管
  • 25篇晶体管
  • 21篇双极型
  • 20篇漂移区
  • 19篇导通压降
  • 19篇双极型晶体管
  • 17篇电流
  • 17篇脉冲
  • 17篇极区
  • 16篇关断
  • 15篇电阻
  • 14篇肖特基
  • 14篇脉冲功率
  • 13篇损耗
  • 12篇阴极
  • 12篇槽栅
  • 11篇导通电阻
  • 11篇载流子

机构

  • 171篇电子科技大学

作者

  • 171篇刘超
  • 129篇陈万军
  • 88篇张波
  • 58篇夏云
  • 32篇孙瑞泽
  • 12篇杨超
  • 12篇周琦
  • 8篇程武
  • 7篇古云飞
  • 7篇吴毅
  • 6篇杨波
  • 6篇刘杰
  • 6篇郑文锋
  • 6篇李震洋
  • 5篇刘亚伟
  • 4篇李佳
  • 3篇李泽宏
  • 3篇陈楠
  • 3篇李肇基
  • 3篇郭小伟

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇电脑知识与技...

年份

  • 6篇2024
  • 20篇2023
  • 24篇2022
  • 31篇2021
  • 19篇2020
  • 17篇2019
  • 19篇2018
  • 8篇2017
  • 8篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇1993
共 171 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法
本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是适用于脉冲功率领域的一种具有寄生二极管的MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要通过改进常规MOS栅控晶闸管的器件结构，在栅极与阴极之间引入寄生二极管，避免了MOS栅控晶闸管应用于...
陈万军张舒逸刘超张波
文献传递
硅基微波/毫米波相控阵收发芯片设计
有源相控阵有着更快的波束形成、可以抵消不同方向的干扰信号，因而有着更高的信噪比和信道容量，在雷达以及无线通信中得到了广泛的应用。传统上，为了获得更高的功率容量和更低的噪声系数，一般用 III-V族半导体（InP或者GaA...
刘超
关键词：有源相控阵收发芯片信道容量芯片设计跟踪雷达
MOS栅控脉冲功率器件模型与新结构研究
脉冲功率技术的实质是将低功率能量在时间尺度上进行压缩，以获得在极短时间内(ns或μs)的高功率(MW至GW)脉冲输出。该技术广泛应用于粒子加速、电磁弹射、矿藏开采、环境保护等国防和工业领域。脉冲功率开关器件是脉冲功率系统...
刘超
关键词：脉冲功率峰值电流
文献传递
一种逆导型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管
本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种逆导型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管。本发明器件内存在阴极短路P‑i‑N二极管结构，将器件分为两个部分，下半部分与常规绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管类似，而上半部分为阴极短路...
郑崇芝夏云程峥孙瑞泽刘超陈万军张波
一种具有阳极肖特基接触的MOS栅控晶闸管
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有阳极肖特基接触的MOS栅控晶闸管。相对于传统的MOS栅控晶闸管，本发明在器件的阳极一侧引入N+阳极短路区，同时使N+阳极短路区和阳极金属形成肖特基接触。在耐压状态下承受dv/dt...
陈万军周彭炜夏云郑崇芝刘超孙瑞泽张波
一种低关断损耗的SOI LIGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种低关断损耗的SOI LIGBT。本发明将SOI LIGBT的耐压层设置为由N型漂移区(3)和P型漂移区(4)横向排列的形式，形成NP横向排列漂移区，从而NP横向排列漂移区使器件内...
陈兴欢夏云陈万军孙瑞泽刘超
一种槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案是采用两块分离的P型基区，并在相邻的P型基区之间插入一个沟槽场板结构(GFP)。该结构沿器件垂直方向插入到N‑漂移区层1中。由于沟槽场板GF...
许晓锐陈万军刘超张波
文献传递
多姿态车型识别算法设计及应用研究
经济的飞快增长,促使人们生活水平发生翻天覆地的变化,人们对车辆的需求也日益增大,但与此同时,交通环境问题、交通管理技术问题也日益突出,在很多方面,传统的交通管理方式已不能满足形势变化的需要。这种背景环境下,智能交通系统的...
刘超
关键词：SURF特征数字图像处理计算机视觉
文献传递
一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管
本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有低电磁干扰噪声特性的槽栅双极型晶体管。本发明的主要方案：一是采用了元胞区与假元胞区在水平方向交替排列的结构，假元胞区与金属化发射极相连，并不浮空；二是在假元胞上表面垂直延...
陈万军许晓锐王园刘超张波
文献传递
一种漂移阶跃恢复二极管
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种漂移阶跃恢复二极管。本发明对常规p<Sup>+</Sup>‑p‑n<Sub>0</Sub>‑n<Sup>+</Sup>漂移阶跃恢复二极管的耐压基区进行了改造，通过将均匀掺杂的n<Su...
陈万军高吴昊邓操谯彬左慧玲夏云刘超
文献传递
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