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任远

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电极
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子
  • 1篇反射率
  • 1篇高反射率
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇LED
  • 1篇表面粗化
  • 1篇N-GAN

机构

  • 1篇中山大学

作者

  • 1篇向鹏
  • 1篇张佰君
  • 1篇廖强
  • 1篇陈伟杰
  • 1篇林佳利
  • 1篇罗慧
  • 1篇杨亿斌
  • 1篇任远

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
2015年
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君
关键词：表面粗化
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共1页<1>
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