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林佳利
作品数:
7
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中山大学
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相关领域:
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
陈伟杰
中山大学物理科学与工程技术学院...
张佰君
中山大学物理科学与工程技术学院...
杨亿斌
中山大学物理科学与工程技术学院...
罗慧
中山大学物理科学与工程技术学院...
廖强
中山大学物理科学与工程技术学院...
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一种GaN纳米线及其制备方法
本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法,GaN纳米线制备方法步骤包括:通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜,并在此外延片上制备图形化掩蔽膜,基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
张佰君
陈伟杰
林佳利
一种GaN纳米线及其制备方法
本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法,GaN纳米线制备方法步骤包括:通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜,并在此外延片上制备图形化掩蔽膜,基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
张佰君
陈伟杰
林佳利
文献传递
内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法
本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法,发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极;初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5掩蔽膜、选择性外延...
张佰君
陈伟杰
林佳利
胡国亨
高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制
被引量:1
2015年
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
林秀其
柳铭岗
杨亿斌
任远
陈扬翔
向鹏
陈伟杰
韩小标
藏文杰
林佳利
罗慧
廖强
张佰君
关键词:
表面粗化
一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法
本发明公开一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法,其中带有漏电限制层的三维微纳发光器件包括初始发光器件、漏电限制层、透明导电层、p型电极和n型电极;初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物...
张佰君
林佳利
陈伟杰
文献传递
内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法
本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法,发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极;初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5 掩蔽膜、选择性外...
张佰君
陈伟杰
林佳利
胡国亨
文献传递
Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
张佰君
陈扬翔
江健良
林秀其
藏文杰
林佳利
罗慧
廖强
刘扬
向鹏
柳铭岗
杨亿斌
陈伟杰
韩小标
胡钢伟
林艳
胡国亨
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