杨亿斌
- 作品数：9 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中山大学更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件
- 本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件。在生长渐变AlGaN层时，通入反应室的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；三甲基铝流量的函数为：y<Sub>TMAl</...
- 张佰君杨亿斌
- 文献传递
- Si衬底垂直导通AlN/GaN DBR结构GaN基LED
- 目前,Si衬底GaN基LED已经得到了广泛的研究,其性能也得到了很大的提高,但是要实现量产还面临着不小的困难.这主要是因为GaN受到Si衬底的张应力导致龟裂以及Si衬底对光的吸收作用.因此,为了提高Si衬底LED的发光效...
- 杨亿斌林秀其吴志盛刘扬张佰君林艳向鹏柳铭岗陈伟杰韩小标胡钢伟胡国亨臧文杰
- Si衬底氮化物DBR结构的生长与研究
- 杨亿斌
- 一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件
- 本发明涉及半导体技术领域，更具体地涉及一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件。在生长渐变AlGaN层时，通入反应室的三甲基铝流量逐渐减少，三甲基镓流量逐渐增加；三甲基铝流量的函数为：<I>y</I><Sub...
- 张佰君杨亿斌
- 文献传递
- Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
- 张佰君陈扬翔江健良林秀其藏文杰林佳利罗慧廖强刘扬向鹏柳铭岗杨亿斌陈伟杰韩小标胡钢伟林艳胡国亨
- 高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
- 2015年
- 采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
- 林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君
- 关键词：表面粗化
- 量子阱前应力变化对Si衬底GaN/InGaN量子阱的影响
- GaN/InGaN基高In组分量子阱LED的生长是继蓝光GaN/InGaN量子阱LED之后备受关注的研究,但是相比蓝光LED,其发光效率,材料稳定性仍有一定差距.目前黄-绿光LED是LED产业的一个研究重点,但是其应用还...
- 柳铭岗张佰君杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其臧文杰吴志盛刘扬
- 一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法
- 本发明公开一种带有DBR掩膜的三族氮化物发光器件及制备方法，发光器件自下而上依次有n型电极、衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化分布布拉格反射镜（DBR）介质掩膜、选择区域生长的n型三族氮化物层、三族...
- 张佰君杨亿斌
- 文献传递
- 二体法计算ZnO量子点中激子的基态能
- 2009年
- 采用二体模型,通过坐标变换把二体问题化为两个单体问题,再分别采用无限深球方势阱和氢原子模型求解,通过一定的近似,得到了ZnO量子点的基态能的近似解析解.
- 于干曾利彬杨亿斌
- 关键词：激子基态能
