姚科明
- 作品数：3 被引量：12H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
- 针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模...
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- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 文献传递
- InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量：12
- 2015年
- 设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。
- 张秀川蒋利群高新江陈伟奚水清姚科明兰逸君卢杰
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响被引量：1
- 2015年
- 基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了探讨与分析。研究结果表明,有效抑制边缘击穿是获得高性能InGaAs/InP平面型盖革模式雪崩光电二极管的关键因素之一,受边缘击穿抑制效果影响,探测效率随过偏压增速缓慢,而当过偏压达到一定值时,暗计数率与后脉冲概率成倍增加。
- 迟殿鑫高新江姚科明陈伟张承
- 关键词：盖革模式SAM
