迟殿鑫
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
- 针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模...
- 张秀川高新江陈伟奚水清迟殿鑫姚科明王玺
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 文献传递
- 级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
- 2020年
- 实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。
- 张承黄晓峰迟殿鑫唐艳王立柴松刚崔大健莫才平高新江
- 关键词：暗电流
- Silvaco辅助设计浮置环SAGCM-APD
- 2021年
- 以浮置环结构的分离吸收层、渐变成层、电荷层雪崩二极管(SAGCM-FGR-APD)为基础,结合化合物半导体材料的物理参数,采用Silvaco模拟软件对其横向、纵向电场分布、各功能层对器件性能参数的影响以及I-V特性进行了仿真模拟计算。通过对模拟结果的分析,实现了SAGCM-FGR-APD的理论优化设计。
- 陈伟迟殿鑫田家齐
- 关键词：雪崩光电二极管
- 边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响被引量：1
- 2015年
- 基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了探讨与分析。研究结果表明,有效抑制边缘击穿是获得高性能InGaAs/InP平面型盖革模式雪崩光电二极管的关键因素之一,受边缘击穿抑制效果影响,探测效率随过偏压增速缓慢,而当过偏压达到一定值时,暗计数率与后脉冲概率成倍增加。
- 迟殿鑫高新江姚科明陈伟张承
- 关键词：盖革模式SAM
- InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究被引量：4
- 2017年
- 通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
- 李彬陈伟黄晓峰迟殿鑫姚科明王玺柴松刚高新江
- 关键词：INGAAS/INP
