陈伟
- 作品数：7 被引量：13H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于多模干涉波导结构的90°光混频器设计与制作
- 2023年
- 设计并制作了一种基于多模干涉波导(MMI)结构的InP基90°光混频器芯片,该芯片的波导层材料为InGaAsP,包层和衬底材料为InP,芯片的单模波导宽度设计为2.6μm,多模干涉波导的长度和宽度分别设计为844和20μm。采用三维光束传播法(3D BPM),仿真分析了波导材料折射率、厚度、宽度和长度的工艺误差容限,仿真结果表明在1 535~1 565 nm波长范围内所设计的光混频器芯片的净插入损耗小于1 dB,相位偏差小于±5°。实验测试结果与仿真结果一致。
- 陈伟崔大建黄晓峰周浪肖入彬吴维刘昆左欣王立严银林
- 关键词：磷化铟相干光通信
- 32×32InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列
- 针对单脉冲激光三维成像应用需求,研制了由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的32×32阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模...
- 张秀川高新江陈伟奚水清迟殿鑫姚科明王玺
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 文献传递
- 一种25 Gbit/s背入射高速InAlAs雪崩光电二极管被引量：1
- 2022年
- 设计并制备了一种面向25 Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(SAGCM)结构,通过刻蚀工艺形成三层台面,将电场限制在最大台面倍增层的中心,有效降低了台面边缘击穿风险。器件采用倒装焊结构,背面集成微透镜,以提高光耦合孔径。研制的APD芯片在增益M=1时,对1310 nm波长光的响应度为0.84 A/W;在M=10时,3 dB带宽达到19 GHz;增益带宽积为180 GHz;在5×10^(-5)误码率下最佳灵敏度为-22.3 dBm,可支持100GBASE-ER4通信标准。
- 黄晓峰陈伟董绪丰敖天宏王立唐艳张圆圆罗鸣
- 关键词：雪崩光电二极管INALAS微透镜
- Silvaco辅助设计浮置环SAGCM-APD
- 2021年
- 以浮置环结构的分离吸收层、渐变成层、电荷层雪崩二极管(SAGCM-FGR-APD)为基础,结合化合物半导体材料的物理参数,采用Silvaco模拟软件对其横向、纵向电场分布、各功能层对器件性能参数的影响以及I-V特性进行了仿真模拟计算。通过对模拟结果的分析,实现了SAGCM-FGR-APD的理论优化设计。
- 陈伟迟殿鑫田家齐
- 关键词：雪崩光电二极管
- 一种混合集成1×4阵列平衡光电探测器的设计
- 2023年
- 针对合成孔径激光雷达中单个光斑观测视场受限的难题,设计了一种由阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片混合集成的1×4阵列平衡光电探测器。阵列平衡探测器芯片采用4对背照式InPInGaAs平衡光电二极管单片集成的内平衡结构,降低芯片寄生电容,提高器件的响应频率和一致性。通过倒装集成工艺将阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片进行集成,缩减像元间距,扩大成像视场。搭建测试系统对进行探测器性能评测,结果显示,其有效像元率达到100%,共模抑制比为33dB,3dB带宽为102MHz,等效噪声功率密度为2.0pW/Hz1/2,增益实现三档可调,整体输出增益一致性为99%,满足合成孔径激光雷达大幅宽成像需求。
- 周浪崔大健黄晓峰任丽陈伟董绪丰彭正鑫严银林
- 关键词：阵列合成孔径激光雷达
- InGaAs/InP盖革模式雪崩焦平面阵列的研制被引量：12
- 2015年
- 设计制作了一种由InGaAs/InP雪崩光电二极管阵列与时间计数型CMOS读出电路组成的8×8阵列规格盖革模式雪崩焦平面阵列(GM APD FPA)。雪崩光电二极管采用SAGCM结构,在盖革模式下工作具有单光子探测灵敏度;时间计数型CMOS读出电路在每个单元获取光子飞行时间,实现纳秒级的时间分辨率,并完成雪崩淬灭功能。测试结果表明,倒装混合集成的GM APD FPA器件暗计数率(DCR)均值为32.5kHz,单光子探测效率(PDE)均值为19.5%,单元时间抖动为465ps,实现了光脉冲时间信息的探测,验证了盖革模式雪崩焦平面阵列技术及其在三维成像中应用的可行性。
- 张秀川蒋利群高新江陈伟奚水清姚科明兰逸君卢杰
- 关键词：三维成像单光子盖革模式焦平面阵列
- 边缘击穿抑制对InGaAs/InP盖革模式APD性能的影响被引量：1
- 2015年
- 基于吸收区倍增区分置(SAM)结构研制了一种用于单光子探测的平面型InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)。着重讨论了边缘击穿抑制效果对器件暗计数率、单光子探测效率,以及后脉冲概率等主要盖革模式性能参数的影响,并对其原因进行了探讨与分析。研究结果表明,有效抑制边缘击穿是获得高性能InGaAs/InP平面型盖革模式雪崩光电二极管的关键因素之一,受边缘击穿抑制效果影响,探测效率随过偏压增速缓慢,而当过偏压达到一定值时,暗计数率与后脉冲概率成倍增加。
- 迟殿鑫高新江姚科明陈伟张承
- 关键词：盖革模式SAM
