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杨家乐

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇多孔硅
  • 2篇光致
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅太阳电...
  • 1篇电池
  • 1篇电镀
  • 1篇电镀法
  • 1篇电泳
  • 1篇电泳法
  • 1篇形貌
  • 1篇阳极氧化法
  • 1篇再生处理
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇少子寿命
  • 1篇太阳电池
  • 1篇透过率
  • 1篇自支撑
  • 1篇溅射

机构

  • 4篇南京航空航天...
  • 1篇常州大学
  • 1篇中利腾晖光伏...

作者

  • 4篇沈鸿烈
  • 4篇杨家乐
  • 3篇李金泽
  • 3篇邢正伟
  • 2篇李玉芳
  • 1篇蒋晔

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氮气流量对磁控溅射AlN薄膜光学性能的影响被引量:1
2017年
Al N薄膜因其具有优异的物理化学性能而有着广阔的应用前景,采用反应磁控溅射法在低温条件下制备AlN薄膜是近些年科研工作的热点。采用直流磁控溅射法,于室温下通入不同流量的氮气在p型硅(100)和载玻片衬底上沉积了AlN薄膜。利用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和分光光度计等分析薄膜的组分、结构、形貌和光学性能。结果表明随着氮气流量的增加,Al N薄膜质量变好,N2流量为8 cm3/min时制备的AlN薄膜为六方纤锌矿结构,在680 cm^(-1)处具有明显的FTIR吸收峰,进一步说明成功制备了AlN薄膜。在300~900 nm的波长范围内,薄膜透过率最高可达94%;薄膜带隙随着氮气流量的增加而增大,最大带隙约为4.04 eV。
杨家乐沈鸿烈邢正伟蒋晔李金泽张三洋李玉芳
关键词:ALN薄膜直流磁控溅射透过率光学性能
多孔硅复合材料的制备与应用研究进展
2016年
多孔硅具有独特的结构和优异的物理、化学性能,基于多孔硅的复合材料性能更加优越,其应用前景值得期待。综述了多孔硅的起源及其发展过程。介绍了多孔硅复合材料的多种制备方法,其中重点介绍了电镀法和无电沉积法,讨论了沉积物形貌的影响因素以及每种沉积方法的优缺点。对多孔硅复合材料在多个领域的应用分别进行了概述,包括传感器、含能材料、锂离子电池、超级电容器和生物医学等,分析了复合结构对多孔硅性能提升的作用。最后展望了根据实际需求设计并可控制备多孔硅复合材料的前景。
杨家乐沈鸿烈邢正伟
关键词:电镀法
再生处理抑制单晶硅太阳电池光致衰减效应的研究被引量:2
2018年
掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题,研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m^2光照下200℃保温10 min进行再生处理,结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%,电池效率衰减率为4.32%,再生处理后样品的衰减率分别降低至5%和0.48%,表明再生处理能有效抑制晶硅电池的光致衰减效应。未经再生处理的寿命片光照前后硼氧(B-O)复合体浓度分别为1.38×10^11和7.01×10^11cm^-3,再生处理后的B-O复合体浓度分别为2.90×10^10和4.44×10^10cm^-3,再生处理后的寿命片光照后B-O复合体的浓度较处理前低一个数量级,且处于稳定的不会造成少子复合的再生状态。
张三洋沈鸿烈魏青竹倪志春李金泽杨家乐
关键词:再生处理少子寿命
CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性被引量:2
2016年
为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为(210);CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570nm转移到740nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.
邢正伟沈鸿烈李金泽张三洋杨家乐姚函妤李玉芳
关键词:CDS阳极氧化法电泳法光致发光
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