沈鸿烈
- 作品数：252 被引量：314H指数：8
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法
- 本发明一种Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>/a-Si异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池器件设计及新材料技术领域。所述的Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>...
- 沈鸿烈江丰王威张磊
- 文献传递
- Zn铁氧体纳米晶的磁性及微结构研究被引量：16
- 2000年
- 通过高能球磨方法由α-Fe2O3+ZnO混合粉体制得的Zn铁氧体纳米晶具有非正型分布的尖晶石结构,表现为亚铁磁性,其比饱和磁化强度σs=16.4emu/g。通过适当的热处理可以使Zn铁氧体的结构向正型分布转变;使其磁性向顺磁性转变。
- 姜继森高濂杨燮龙郭景坤J.Z.Jiang沈鸿烈
- 关键词：ZN铁氧体纳米晶高能球磨磁性微结构
- 硝酸银含量对Au＠Ag2S＠ZnS双壳核壳结构的形成及其光学性能影响的研究
- 2015年
- 采用化学还原法先制备了表面吸附有十六烷基三甲基溴化铵的金纳米颗粒,然后以金纳米颗粒为籽晶,采用二乙基二硫代氨基甲酸锌和硝酸银分别作为锌源和银源,通过水热反应法制备出了Au@Ag2S@Zn S双壳核壳结构。XRD分析表明样品中含有立方相的Au、单斜相的Ag2S与六方相的Zn S。UV-Vis谱揭示样品的等离子体共振峰位可以通过改变硝酸银的加入量而控制。SEM和TEM图像显示样品呈球形且壳层由许多小的纳米颗粒聚集而成,Zn S壳层为多晶。由光致发光谱分析得知,随着硝酸银量的增加,主发光峰先是红移,然后峰位不变且强度减弱。这一光致发光现象一方面可能与反应过程中部分银离子掺入Zn S纳米壳层有关;另一方面可能源于Ag2S中间层厚度的增加导致Zn S与Au的间距增加,从而导致Au对Zn S的等离子增强效果减弱。
- 唐群涛沈鸿烈吕长文王东明商慧荣
- 关键词：光致发光
- 金属有机物分解法制备的La-Sr-Mn-O薄膜的磁输运特性(英文)
- 2001年
- 利用金属有机物分解法在非晶石英衬底上成功地制备了具有 (202)择优取向的多晶 La1－ x－SrxMnOz薄膜。原子力显微镜观察显示薄膜具有疏松的结构缺陷。在室温下，观察到薄膜磁电阻随外加磁场变化具有优良的线性特征， 10 kOe磁场下，磁电阻值达到 5％。在 77 K低温下，薄膜具有显著的低场磁电阻效应， 2 kOe磁场下的磁电阻值达到 11％。薄膜的电阻－温度关系具有平缓的金属－绝缘体转变，转变温度远低于其居里温度；在 8 kOe磁场下，薄膜的磁电阻随温度下降而单调上升。上述薄膜的磁输运特性与其结构缺陷 (包括晶界及疏松 )有关。
- 祝向荣沈鸿烈邹世昌Koichi TsukamotoTakeshi YanagisawaMamoru OkutomiAkira Obara
- 关键词：磁电阻
- 电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究被引量：1
- 2019年
- 铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。
- 王泽辉沈鸿烈魏青竹倪志春李树兵李跃张树德
- 关键词：电学性能
- 热丝CVD制备纳米晶SiC薄膜及其在太阳能电池中的应用
- 在本研究中，选取热丝CVD方法，采用硅烷、乙炔和氢气作为气源，制备出了立方晶系纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜。研究发现不同钨丝温度对薄膜的成分结构和光学性能有显著的影响。分析表明。随着钨丝温度(TF)由1 600℃升高...
- 吴天如沈鸿烈潘圆圆张力典
- 关键词：光学带隙碳化硅薄膜太阳能电池电学性能
- 文献传递
- 不同过渡层上Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究
- 李铁沈鸿烈沈勤我邹世昌
- 关键词：巨磁电阻效应三明治晶体结构过渡层
- Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响被引量：1
- 2000年
- 用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时基本上呈各向同性 .巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释 .在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有 ( 3 0 1)择优取向的Co2 Si诱导了三明治膜的这种各向异性 ,还研究了三明治膜晶体结构与Si过渡层厚度的关系 .
- 李冠雄沈鸿烈沈勤我李铁邹世昌
- 关键词：过渡层巨磁电阻硅
- 一种超薄晶硅太阳电池及其制备方法
- 本发明涉及一种超薄晶硅太阳电池及其制备方法。超薄晶硅太阳电池采用随机纳米倒金字塔作为表面减反射结构，用原子层沉积的氧化钛薄膜和低功函数超薄金属改性的TCO薄膜分别作为电子传输层和上电极，用磁控溅射沉积金属铝薄膜结合后续低...
- 沈鸿烈唐群涛
- 文献传递
- Si+和Si++P+注入InP的辐射损伤的研究
- 本文报道了Si以及Si+P共注入<100>InP的RBS和Raman谱的分析结果。应用LO声子的S.C模式(Spatial Correlation Mode),用相干长度表征了InP的离子注入损伤。发现热靶注入的晶格损伤...
- 徐宏来沈鸿烈周祖尧杨根庆邹世昌
- 文献传递
