谭超
- 作品数：13 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统
- 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混...
- 顾占彪高洪民张之梁任小永陈乾宏王书杰谭超徐森锋
- 基于电容等效阻抗高频特性的滤波方法研究被引量：2
- 2021年
- 文章提出了一种以电容阻抗高频特性为基础的串扰耦合干扰的滤波抑制方法。介绍了实际情况中电容的等效阻抗在高频工作条件下所表现出的特性,分析了电容滤波时的工作原理。电容滤波的本质是在信号传输通道与"地"之间搭建一条针对干扰信号的低阻抗通道,使干扰信号在进入敏感工作电路之前就通过低阻通道被泄入"地"中,进而达到滤除干扰的目的。利用电容这一特性,成功实现了对干扰信号的有效滤除,并通过仿真验证了其可行性。
- 谭超
- 关键词：电容等效阻抗高频特性滤波
- 一种W波段硅基多通道多功能芯片
- 2023年
- 为实现W波段多通道收发芯片小型化,研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体,利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构,结合金属化通孔的紧密分布实现了电磁屏蔽侧墙,该工艺在实现小型化的同时保证了抗干扰能力。采用高深宽比的通孔刻蚀技术和金属化技术实现信号的垂直传输,通过金丝键合实现微波单片集成电路(MMIC)芯片和硅基传输结构的物理连接,使用低温晶圆键合技术实现了硅片垂直堆叠,最终经微组装技术实现了92~96 GHz多通道多功能芯片。经测试,接收通道噪声系数小于6.2 dB,接收增益约大于14 dB,发射通道饱和输出功率达到20 dBm,验证了该技术的可行性,为W波段小型化多功能芯片提供了良好的设计思路。
- 于双江赵峰郑俊平赵宇高艳红谭超
- 关键词：W波段小型化多功能芯片
- 可调芯片
- 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试...
- 谭超王磊白锐白银超潘海波刘桢徐森锋马伟宾顾登宣范仁钰傅琦刘方罡张凤麒杨栋
- 文献传递
- 一种多电平变换器的控制方法
- 本发明适用于电力技术领域，提供了一种多电平变换器的控制方法，所述方法包括：采集LC滤波器在一个驱动脉冲周期内的电感电流；基于电感电流的上升时段的斜率确定待调节的第一开关管以及待调节的第一开关管的占空比调节量，基于待调节的...
- 顾占彪张之梁成诗鹏任小永徐森锋谭超
- 文献传递
- DC～35GHz超宽带单刀四掷开关单片集成电路被引量：3
- 2013年
- 设计了一款工作频率为DC～35 GHz的超宽带单刀四掷开关单片集成电路,其单片电路内部集成了驱动2∶4译码器。通过ADS软件对多种开关电路拓扑进行优化,设计出了一种合理的开关结构。采用先进的E/D PHEMT工艺进行版图设计并进行了版图电磁场仿真验证,在GaAs PHEMT工艺线上进行了流片,对制作的芯片进行了在片测试,测试结果表明,在DC～35 GHz频率范围内,单刀四掷单片开关的插入损耗(IL)小于3.5 dB,隔离度大于30 dB,回波损耗小于-10 dB,易于控制,满足设计要求,在微波电路T/R组件中有很好的应用前景。目前未见同类超宽带单刀四掷单片开关的相关报道。
- 谭超
- 关键词：超宽带砷化镓
- 一种基于氮化镓晶体管的BUCK变换器被引量：2
- 2021年
- 氮化镓(GaN)材料具有宽禁带宽度、高击穿场强等综合优势,通过对比氮化镓晶体管和硅功率器件参数,说明了氮化镓器件在工作频率和电路效率方面的优势。使用氮化镓晶体管替代硅基功率器件,设计了一款带有同步整流的BUCK变换器。测试结果显示:电路可以在较高的频率下工作,缩小了滤波电路的体积,在轻载时电路进入脉冲跳跃模式,结合氮化镓晶体管在效率方面的优势,电路整体效率均保持在较高水平。
- 谭超王鑫李博
- 关键词：氮化镓BUCK电源变换器
- 三等分功率分配器及微波发射系统
- 本发明提供一种三等分功率分配器及微波发射系统，其中，三等分功率分配器包括：一个第一一分二功分器和两个第二一分二功分器；第一一分二功分器的分配比为1:1，第二一分二功分器的分配比为1:2，第一一分二功分器的输入端作为信号输...
- 顾占彪高洪民张之梁任小永陈乾宏王书杰谭超徐森锋
- 24GHz低相位噪声单片集成VCO被引量：3
- 2013年
- 介绍了一款基于砷化镓异质结双极晶体管(GaAs HBT)工艺的24 GHz单片压控振荡器(VCO),VCO芯片上同时集成了1/2次谐波输出及八分频器电路,可提供1/2和1/16次谐波输出。由于振荡器采用了推-推压控振荡器(push-push VCO)结构,相比传统的通过低频VCO芯片和倍频器级联技术实现的24 GHz VCO具有更低的相位噪声,测试结果表明芯片在不同温度、振动以及其他条件下表现出良好的相位噪声,在0～13 V的电调电压条件下输出频率为23～25.5 GHz,输出功率在5 V直流工作电压条件下为9 dBm,相位噪声低至-92 dBc/Hz@100 kHz。同时1/2次谐波输出及八分频器电路提供的1/16次谐波输出性能良好。
- 谭超
- 关键词：相位噪声
- 带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统
- 本发明提供一种带隔离的三等分功率分配器及微波发射系统，其中，带隔离的三等分功率分配器，包括：一个分配比为1:2的第一混合环和一个分配比为1:1的第二混合环；第一混合环的第一端口为信号输入端，第一混合环的第二端口连接第二混...
- 顾占彪高洪民张之梁任小永陈乾宏王书杰谭超徐森锋
