刘桢
- 作品数：6 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于内匹配器件的功率分配器设计被引量：1
- 2012年
- 介绍了一种基于内匹配功率管的Wilkinson微带功率分配器设计新思路。传统Wilkinson微带功率分配器在低频段体积大,用于内匹配功率管时很难在规定的尺寸范围内使用,采用高介电常数陶瓷基片辐射损耗大,直流转换效率低。适当引入不连续性,提高端口阻抗值,端口阻抗引入的虚部参与后续匹配网络的新型Wilkinson微带功率分配器,与传统Wilkinson功率分配器相比,体积更小,效率更高,有很好的实用价值。设计的工作频段在5.2～5.8 GHz的Wilkinson微带功率分配器,在整个频带内输出功率大于50 dBm,饱和功率增益高于7 dB,功率附加效率大于30%。
- 郑强林晋晨笛刘桢吴洪江邓海丽
- 关键词：内匹配功分器传输线
- 一种高频肖特基二极管及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电...
- 宋旭波冯志红吕元杰梁士雄张立森许婧游恒果刘帅刘京亮刘桢盛百城
- L波段高隔离度定向耦合器芯片的设计
- 2020年
- 本文介绍了基于GaAs衬底工艺制作的L波段高隔离度定向耦合器。该芯片在1.0~1.5GHz的频带内插入损耗小于0.15dB,回波损耗优于-20dB,隔离端口之间的隔离度大于45dB,其方向性的指标达到了20dB以上。同时,使用新型拓扑结构的耦合器芯片的面积仅为2.2mm×1.3mm。设计的定向耦合器具有一致性高、小型化、低成本和免调试等优势,拥有良好的应用前景。
- 刘桢
- 关键词：定向耦合器高隔离度插入损耗回波损耗L波段GAAS衬底
- S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究被引量：6
- 2013年
- 基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗。采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT。在频率为2.7～3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50%、栅源电压Vgs为-3 V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47%,功率增益大于13 dB。
- 刘桢吴洪江斛彦生吴阿慧银军张志国
- 关键词：内匹配功率合成大功率
- 可调芯片
- 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试...
- 谭超王磊白锐白银超潘海波刘桢徐森锋马伟宾顾登宣范仁钰傅琦刘方罡张凤麒杨栋
- 文献传递
- 可调芯片
- 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试...
- 谭超王磊白锐白银超潘海波刘桢徐森锋马伟宾顾登宣范仁钰傅琦刘方罡张凤麒杨栋
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