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文献类型

  • 34篇专利
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领域

  • 17篇电子电信
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主题

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  • 6篇限幅器
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  • 3篇体声波谐振器
  • 3篇通信
  • 3篇通信系统
  • 3篇谐振器

机构

  • 38篇中国电子科技...

作者

  • 38篇潘海波
  • 20篇王磊
  • 11篇宋学峰
  • 9篇赵瑞华
  • 8篇邓世雄
  • 6篇要志宏
  • 6篇高长征
  • 5篇徐达
  • 5篇李增路
  • 5篇白银超
  • 5篇常青松
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  • 4篇袁彪
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  • 4篇周全
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  • 3篇王胜福
  • 3篇李亮

传媒

  • 2篇舰船电子对抗
  • 2篇数字技术与应...

年份

  • 2篇2024
  • 7篇2023
  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 11篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2016
38 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
毫米波超宽带合成器的研究
2016年
首先介绍了功率合成技术,指出合成效率是衡量合成效果的关键指标;其次,对影响合成效率的主要因素如电路插入损耗、幅度差和相位差进行了分析;最后,提出了一种工作在26.5~40GHz频率范围内,带宽为13.5GHz的超宽带八路功率合成器,然后利用CST软件对该合成结构进行仿真,仿真结果达到预期效果,具有很好的使用价值。
潘海波张丽吴小帅
关键词:毫米波超宽带
微波垂直过渡连接结构和微波器件
本发明适用于射频或微波技术领域,提供了一种微波垂直过渡连接结构和微波器件,该微波垂直过渡连接结构包括:上腔体电路基板和下腔体电路基板分别固定在金属盒体隔墙上下两侧表面的对应位置上;连接模块用于连接上腔体电路基板和下腔体电...
戈江娜肖宁郝金中袁彪杜伟宋学峰潘海波王磊
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一种射频微波电路板及制备方法
本发明公开了一种射频微波电路板及制备方法,射频微波电路板包括基板,设有第一通孔,正面介质层,设置在基板的上表面,正面介质层设有贯穿正面介质层的上表面和下表面的第二通孔和第三通孔,第一通孔内的金属浆料记为第一金属柱,第二通...
李仕俊王磊常青松徐达史光华刘晓红李增路潘海波武义桥方利王晟
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基于检波的有源微波限幅器及通信系统
本发明适用于微波设备技术领域,提供了一种基于检波的有源微波限幅器及通信系统,上述限幅器包括:包括:双向耦合器、第一检波模块、第二检波模块、限幅驱动模块、PIN二极管、天线端及功率发射端;第一检波模块的输出端与限幅驱动模块...
邓世雄王磊潘海波李丰丁珂王元佳史磊董雪王会从贾晓亮郭尧张杨张璇丛睿
微带线垂直过渡结构与微波器件
本发明适用于微波毫米波电路技术领域,提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件,该结构包括:金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体;金属盒体置于两个微带探针装置之间,与每个微带探针装置的背面连接,且每个微带探针装置背面设置的...
董强杨强孔宪辉赵瑞华李枫潘海波王晓龙宋学峰韩鹏飞陈中平刘凡
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空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件
本发明涉及滤波器技术领域,提供一种空气腔型薄膜体声波谐振器滤波器及滤波器组件,该滤波器包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器;多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一至第六薄膜体声波谐振...
张仕强李丽李宏军王胜福李增路潘海波王磊于江涛杨亮李亮梁东升李明武韩易王静张根壮
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基于C8051F500单片机的微波功放内部参数修改的探究
2023年
伴随着时代的进步和科技的发展,微波功放已经从单独的微波性能需求逐渐向包含对数字信息需求的方向发展。相对于过去的微波功放产品,近年来微波功放大部分都包括外部通信、衰减、移相、输出功率档位切换、工作状态实时采集等需求,单片机也越来越多的应用于微波功放。鉴于各个微波功放的微波性能并非完全一致,这就导致单片机中软件的个别参数并非完全一致,随着同型号微波功放样需求数量的增多,势必导致软件数量增多,不利于软件管理。
潘海波
关键词:微波功放微波性能数字信息单片机输出功率
大视场多Bar条集成激光发射结构
本发明提供了一种大视场多Bar条集成激光发射结构,属于光电技术领域,包括壳体、激光集成单元以及均化透镜。激光集成单元呈阵列排布于壳体内,激光集成单元包括半导体激光器及设于半导体激光器上的预准直微透镜组,预准直微透镜组以对...
孙芮王媛媛房玉锁潘海波孙奕涛申正坤杨红伟刘亚岐薛召举梁鑫刘金晓刘雨佳
三维微波模块电路结构及其制备方法
本发明提供了一种三维微波模块电路结构及其制备方法,属于微电子封装领域,包括下层基板、下层电路元件、金属外壳、上层基板及上层电路元件,上层基板通过第一焊球与下层基板连接,下层基板上设有第二焊球;上层基板上设有第一过孔,第一...
徐达要志宏常青松魏少伟刘晓红潘海波袁彪王志会庞龙石超邵正龙孔祥胜
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一种限幅低噪声放大器芯片结构
本申请公开了一种限幅低噪声放大器芯片结构,涉及半导体技术领域。其中,上述限幅低噪声放大器芯片结构包括:限幅器芯片、位于限幅器芯片上表面的屏蔽芯片,以及位于屏蔽芯片上表面的低噪声放大器芯片;屏蔽芯片的下表面与限幅器芯片的上...
任健刘帅白银超戴剑王磊赵瑞华潘海波崔亮刘飞飞杨琦杨丹丹谷腾飞李佩姿
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共4页<1234>
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