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宋学峰

作品数：71 被引量：13H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 65篇专利
  • 6篇期刊文章

领域

  • 32篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇化学工程

主题

  • 18篇电路
  • 13篇封装
  • 12篇芯片
  • 12篇放大器
  • 10篇基板
  • 9篇信号
  • 9篇射频
  • 8篇微带
  • 7篇微波器件
  • 7篇微带线
  • 7篇晶体管
  • 7篇键合
  • 6篇微波信号
  • 6篇金属
  • 5篇顶面
  • 5篇输出端
  • 5篇陶瓷
  • 5篇腔体
  • 5篇谐振器
  • 5篇硅基

机构

  • 71篇中国电子科技...
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 71篇宋学峰
  • 31篇王磊
  • 19篇赵瑞华
  • 13篇周彪
  • 13篇戴剑
  • 12篇徐达
  • 11篇潘海波
  • 9篇邓世雄
  • 8篇要志宏
  • 8篇刘帅
  • 8篇高长征
  • 8篇李丰
  • 7篇李增路
  • 7篇常青松
  • 6篇王胜福
  • 6篇汤晓东
  • 6篇杨琦
  • 5篇李宏军
  • 5篇卜爱民
  • 5篇李亮

传媒

  • 4篇半导体技术
  • 1篇电子测试
  • 1篇价值工程

年份

  • 9篇2024
  • 19篇2023
  • 5篇2022
  • 12篇2021
  • 13篇2020
  • 9篇2019
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
共 71 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件
本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻...
祁广峰徐达王磊王真袁彪杨晓楠宋学峰史光华周彪唐晓赫李仕俊杨彦锋乔家辉戴剑崔亮陈南庭
电路基板及堆叠电路结构
本发明提供了一种电路基板及堆叠电路结构，属于三维电路领域，包括基板主体及设于所述基板主体上的第一接地过孔，所述第一接地过孔内填充有第一金属导电芯。本发明提供的电路基板及堆叠电路结构，第一接地过孔中填充有第一金属导电芯，由...
徐达要志宏罗建魏少伟常青松王磊王元佳宋学峰王晓龙肖宁孙涛表宏章廖文生
文献传递
一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法
本发明提供一种GaN射频前端电路、TR组件及其制备方法。该电路包括：收发端口、发射支路和接收支路。第一GaN功率开关管的源极连接在发射支路的输出端与GaN功率放大器的输出端之间，漏极接地。在GaN功率放大器的输出端设有串...
陈然刘帅赵瑞华戴剑崔亮梁廷敬宋学峰王凯陈南庭王海龙杨琦成立鑫王晟王飞
SMD石英晶体谐振器抗冲击结构
本发明提供了一种SMD石英晶体谐振器抗冲击结构，属于电子元器件技术领域，包括：管壳、缓冲晶片和谐振晶片；管壳的底座上平行设有第一金属引线和第二金属引线，第一金属引线的中间设有下层第一导电胶点，第二金属引线的中间设有下层第...
逄杰孟昭建王占奎刘兰坤徐淑一牛占鲁宋学峰杨晓雷戴文涛田树蕾高畅
基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构
本发明提供了一种基于HTCC的高频垂直互联结构及封装结构，属于微波器件技术领域，包括陶瓷基板、射频信号背面引脚焊盘、射频信号正面引脚焊盘、接地正面引脚焊盘、接地背面引脚焊盘、背面接地区、芯片安装区、顶层封口环和垂直接地孔...
朱春雨李萌刘帅赵瑞华宋学峰赵正桥张延青苏晓晨王亚君韩猛高飞龙张军平刘艳红方辉
有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统
本发明提供一种有源相控阵T/R组件、组装方法及无线收发系统。该组件包括射频模块、电源模块和集合口模块；射频模块分别与电源模块和集合口模块连接；射频模块设置有射频天线接口，集合口模块设置有射频集合接口，电源模块设置有电源控...
肖宁宋学峰王磊周彪戈江娜徐达郭丰强赵晨安李贺斌胡欣媛郭君刘爱平方利王坤刘文豹郭立涛陈南庭崔亮刘晓莉李亚丽刘方罡杨琦
硅基微同轴结构
本发明适用于射频微波技术领域，提供了一种硅基微同轴结构，包括：上层硅片、中层硅片和下层硅片；所述上层硅片上设置有第一凹槽，在距离所述上层硅片的外边缘第一预设距离的位置截止；所述第一凹槽封闭一端的周围设置有贯穿上下表面的多...
王胜福李宏军钱丽勋申晓芳杨志董春辉宋学峰李丰周名齐周少波付兴中张俊杰陈敬平张堃孙涛
文献传递
0.2～30GHz GaAs FET开关模型的提取与验证被引量：1
2012年
在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,准确的器件模型对于提高电路设计成功率和缩短电路研发周期起着重要作用。首先采用标准的GaAs MMIC工艺制造出不同栅指数和单位栅宽的开关PHEMT器件,然后对加工的开关电路在"开"态(Vgs=0 V)和"关"态(Vgs=-5 V)进行宽频率范围内的测量,基于测量结果建立起一个参数化的GaAs PHEMT开关等效电路模型,最后通过单刀单掷(SPST)开关来验证参数化模型。应用该参数化模型设计的电路实测与仿真结果基本吻合,证明参数化的GaAs PHEMT模型是可用的。该模型可用于30 GHz以下GaAs PHEMT工艺开关MMIC电路仿真设计。
刘帅要志宏赵瑞华宋学峰
关键词：开关砷化镓赝配高电子迁移率晶体管单片微波集成电路
抗振三维堆叠电路结构及其制备方法
本发明提供了一种抗振三维堆叠电路结构及其制备方法，属于微电子封装领域，包括封装底板、密封罩设于封装底板上表面并与封装底板配合形成容纳腔的金属外壳、沿上下方向层叠设于容纳腔内的电路基板、设于电路基板上表面上的电路元件及设于...
徐达常青松张延青赵瑞华魏少伟汤晓东董雪宋学峰孙从科戎子龙胡占奎
文献传递
采样率转换装置及方法
本发明提供一种采样率转换装置及方法。该装置包括：积分单元、第一路插值单元、第二路插值单元、第一路微分单元、第二路微分单元、选择单元；积分单元、第一路插值单元、第一路微分单元形成第一采样率转换通道；积分单元、第二路插值单元...
陈茂林赵强张越成耿同贺黄从喜姜兆国孙建才王朋白银超陈君涛高晓强宋学峰许向前王鑫潘海波王嘉政
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