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许宏

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇CCD
  • 1篇低温退火
  • 1篇电荷耦合
  • 1篇电荷耦合器
  • 1篇电荷耦合器件
  • 1篇栅介质
  • 1篇少子寿命
  • 1篇探测器
  • 1篇退火
  • 1篇硼硅玻璃
  • 1篇吸杂
  • 1篇工艺过程
  • 1篇硅玻璃
  • 1篇暗电流
  • 1篇暗电流密度
  • 1篇本征
  • 1篇本征吸杂
  • 1篇MPP

机构

  • 3篇重庆光电技术...

作者

  • 3篇许宏
  • 2篇李仁豪
  • 2篇雷仁方
  • 1篇陈捷
  • 1篇黄烈云
  • 1篇李平
  • 1篇韩恒利
  • 1篇汪琳
  • 1篇曾武贤
  • 1篇钟玉杰
  • 1篇郑杏平
  • 1篇张故万

传媒

  • 3篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2010
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种新型去除硼硅玻璃的方法
2014年
通过在硼扩散后增加一步800℃、5min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性。
钟玉杰许宏黄烈云
关键词：硼硅玻璃探测器
工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究被引量：1
2010年
采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响，然后对CCD的工艺过程进行了优化，并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50％，典型值为20～30pA／cm2。
雷仁方许宏曾武贤李仁豪
关键词：MPPCCD工艺过程暗电流密度少子寿命
消除CCD不良背景的工艺研究被引量：1
2008年
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
李平郑杏平李仁豪雷仁方许宏韩恒利陈捷张故万汪琳
关键词：电荷耦合器件栅介质本征吸杂低温退火
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共1页<1>
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