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许宏
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
重庆光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
雷仁方
重庆光电技术研究所
李仁豪
重庆光电技术研究所
张故万
重庆光电技术研究所
郑杏平
重庆光电技术研究所
曾武贤
重庆光电技术研究所
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电子电信
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CCD
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探测器
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重庆光电技术...
作者
3篇
许宏
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李仁豪
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雷仁方
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陈捷
1篇
黄烈云
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李平
1篇
韩恒利
1篇
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1篇
曾武贤
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钟玉杰
1篇
郑杏平
1篇
张故万
传媒
3篇
半导体光电
年份
1篇
2014
1篇
2010
1篇
2008
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一种新型去除硼硅玻璃的方法
2014年
通过在硼扩散后增加一步800℃、5min的氧化工艺,使得硼扩散过程中产生的硼硅玻璃能够去除干净,在去除硼硅玻璃后的硅片上生长的氧化层厚度均匀、可控,有利于提高器件的光响应均匀性。
钟玉杰
许宏
黄烈云
关键词:
硼硅玻璃
探测器
工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究
被引量:1
2010年
采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPPCCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1024×1024可见光MPPCCD的工艺制作中。采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50%,典型值为20~30pA/cm2。
雷仁方
许宏
曾武贤
李仁豪
关键词:
MPP
CCD
工艺过程
暗电流密度
少子寿命
消除CCD不良背景的工艺研究
被引量:1
2008年
对电荷耦合器件(CCD)交流成像中存在的背景发白、亮条、亮点、拖影和固定图像噪声等不良背景进行了分析,并提出了调整栅介质生长方法、本征吸杂、低温退火等消除不良背景的具体工艺方法,获得了高质量的CCD器件。测试结果表明,其交流成像中的不良背景得到了有效控制。
李平
郑杏平
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪琳
关键词:
电荷耦合器件
栅介质
本征吸杂
低温退火
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