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丁曌

作品数:2 被引量:3H指数:1
供职机构:北京理工大学光电学院更多>>
发文基金:国家部委预研基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电特性
  • 1篇离子辅助沉积
  • 1篇硫代
  • 1篇铝酸钡
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射靶材
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇光学
  • 1篇光学材料
  • 1篇靶材
  • 1篇SNO
  • 1篇
  • 1篇EU

机构

  • 2篇北京理工大学

作者

  • 2篇喻志农
  • 2篇薛唯
  • 2篇丁曌
  • 1篇张东璞
  • 1篇冷健
  • 1篇李玉琼
  • 1篇夏樊

传媒

  • 1篇光学技术
  • 1篇光学学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硫代铝酸钡(BaAl_2S_4:Eu)靶材制备工艺研究
2009年
为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明,在300nm紫外光激发下,薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明,发光层薄膜中含氧量较高,随着溅射功率的提高,薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大,硫元素则显著减少。
丁曌张东璞喻志农薛唯
关键词:光学材料溅射靶材
无机缓冲层对柔性In_2O_3:SnO_2薄膜光电及耐弯曲性能影响的研究被引量:3
2010年
在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学透射比、耐弯曲性能等机电特性影响各异:添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最大,方阻降低率达29.8%,而添加Al_2O_3缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最小,方阻降低率仅为5.6%;添加Ta_2O_5缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最佳,平均透射比达85%以上,而添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最差,但其平均透射比也高于80%;SiO_2在耐弯曲半径上对ITO薄膜的改善效果比TiO_2更佳,而当ITO薄膜以弯曲半径R=0.8 cm和R=1.2 cm发生内弯时,SiO_2对ITO薄膜耐弯曲次数性能的改善效果不及TiO_2。
李玉琼喻志农冷健薛唯夏樊丁曌
关键词:离子辅助沉积光电特性
共1页<1>
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