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冷健

作品数:6 被引量:3H指数:1
供职机构:北京理工大学光电学院更多>>
发文基金:国家部委预研基金北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学

主题

  • 3篇薄膜应力
  • 2篇哈特曼传感器
  • 2篇发光
  • 2篇感器
  • 2篇传感
  • 2篇传感器
  • 1篇电特性
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光显示
  • 1篇电致发光显示...
  • 1篇电致发光显示...
  • 1篇镀膜
  • 1篇镀膜设备
  • 1篇应力
  • 1篇应力仪
  • 1篇直角棱镜
  • 1篇入射
  • 1篇数据采集
  • 1篇数据采集与处...
  • 1篇透镜

机构

  • 6篇北京理工大学

作者

  • 6篇冷健
  • 4篇薛唯
  • 3篇喻志农
  • 3篇卢维强
  • 2篇张东璞
  • 2篇王华清
  • 2篇张楠
  • 1篇章婷
  • 1篇孔祥君
  • 1篇薛维
  • 1篇蒋玉蓉
  • 1篇李玉琼
  • 1篇夏樊
  • 1篇丁曌

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2011
  • 4篇2010
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
一种基于哈特曼传感器的薄膜应力测量装置
本发明涉及一种基于哈特曼传感器的薄膜应力测量装置,属于物理领域里的光学分领域。该装置包括自准直成像系统和哈特曼传感器;自准直成像系统由分光棱镜、物镜、中继透镜构成。分光棱镜为消偏振分光直角棱镜,棱镜的;物镜和中继透镜均为...
冷健卢维强王华清张楠薛唯
文献传递
二价铕离子掺杂碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性
2011年
为了获得高效的蓝色和绿色的电致发光材料,对Eu2+掺杂的碱土金属硫代铝酸盐电子振动耦合参量与发光特性的关系进行了深入研究。首先简述了用于MⅡAl2S4∶Eu材料发光性能评估的位形坐标模型并引入各评估参量;其次结合材料的晶体结构对MⅡAl2S4∶Eu材料的光致发光和电致发光性能进行了比较和分析;最后,通过材料的PL光谱曲线计算出材料的特征能量和两个比值因子参量的值,从而得到对MⅡAl2S4∶Eu发光材料的量化比较。根据评估结果和其CIE1931色坐标的比较,可以认为BaAl2S4∶Eu和CaAl2S4∶Eu较适合于作为蓝色和绿色发光材料。由于可以使发射峰发生移动,镁、锶的硫代铝酸盐可以作为复合硫代铝酸盐发光材料使用。
张东璞薛唯喻志农章婷蒋玉蓉冷健孔祥君
关键词:发光特性晶体结构
柔性彩色电致发光显示器件的研究与制备
冷健
关键词:电致发光
一种薄膜应力在线测试系统
本发明涉及一种薄膜应力在线测试系统,属于物理领域里的光学分领域。该系统包括镀膜机、应力仪、晶控仪和计算机;在所测量样品镀膜开始前,先将计算机的数据采集与处理模块初始化并设定阈值。当外部高亮度光源发出的光从应力仪的光纤入射...
王华清冷健卢维强张楠薛唯
文献传递
TiO_2和SiO_2薄膜应力在线测量与研究
2011年
研究了离子能量在薄膜制备过程中对TiO2和SiO2薄膜应力的影响。用电子束蒸发的方法制备TiO2和SiO2薄膜,使用实验室自行设计制作的基于哈特曼传感器的薄膜应力仪在线监测TiO2和SiO2薄膜应力随膜厚的变化。结果表明,离子辅助沉积的TiO2薄膜张应力值要比传统工艺低40 MPa,并且随着离子能量的增加,薄膜逐渐由张应力变为压应力,薄膜的最大折射率为2.56;而离子辅助的溅射效应在制备SiO2薄膜时比较明显,传统工艺制备的SiO2薄膜表现为压应力,而用离子辅助的方法制备的SiO2薄膜表现为张应力,并且随着离子能量的增加,薄膜变得疏松,折射率逐渐降低。
冷健薛维喻志农卢维强王华清张东璞
关键词:TIO2SIO2薄膜应力哈特曼传感器
无机缓冲层对柔性In_2O_3:SnO_2薄膜光电及耐弯曲性能影响的研究被引量:3
2010年
在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学透射比、耐弯曲性能等机电特性影响各异:添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最大,方阻降低率达29.8%,而添加Al_2O_3缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最小,方阻降低率仅为5.6%;添加Ta_2O_5缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最佳,平均透射比达85%以上,而添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最差,但其平均透射比也高于80%;SiO_2在耐弯曲半径上对ITO薄膜的改善效果比TiO_2更佳,而当ITO薄膜以弯曲半径R=0.8 cm和R=1.2 cm发生内弯时,SiO_2对ITO薄膜耐弯曲次数性能的改善效果不及TiO_2。
李玉琼喻志农冷健薛唯夏樊丁曌
关键词:离子辅助沉积光电特性
共1页<1>
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