梁聪
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于Volterra级数的HBT功率放大器负载阻抗的优化设计
- 2010年
- 利用Volterra级数法,研究了InGaP/GaAs HBT功率放大器的非线性失真,分析了非线性指标IP3和功率放大器负载阻抗的关系,完成了功率放大器负载阻抗的优化设计;采用2μmInGaP/GaAs HBT半导体工艺进行流片。测试结果表明,设计的功率放大器在不影响输出功率和功率附加效率的前提下,线性度得到较大改善,IP3提高6 dB,与理论分析及计算机仿真结果相吻合。
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- 关键词：功率放大器VOLTERRA级数负载阻抗INGAP/GAASHBT
- 一种能改善GaAsHBT自热效应的复合管
- 2011年
- 根据负反馈原理,提出一种复合管结构来补偿异质结双极型晶体管(HBT)的自热效应。仿真和测试曲线结果表明,在较宽环境温度和较大输出电流密度范围内,复合管的自热效应得到了有效抑制,静态工作点稳定,采用此复合管设计的功率放大器的1 dB提高了2 dB,线性得到了改善。
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- 关键词：HBT直流偏置自热效应线性度
- 一种带功率检测和自适应偏置的CDMA功率放大器被引量：5
- 2011年
- 设计了一款包含功率检测和自适应线性化偏置电路的CDMA功率放大器,功率检测器能根据输入信号的大小来调整功率管的偏置点,大幅提升低功率输出时的效率,从而提升系统整体效率;自适应线性化偏置能有效抑制功率放大器的增益压缩和相位失真,改善其线性度。采用2μm InGaP/GaAs HBT晶体管工艺成功流片,测试结果表明,与普通功率放大器相比较,当输出功率小于10 dBm时,新型功率放大器的集电极电流大幅降低,系统整体效率提高了2.2倍;1 dB增益压缩点由30 dBm增加到32 dBm;当输出功率为28 dBm时,ACPR和ALTR分别改善了5 dB和12 dB,IM3改善了11 dB。
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- 关键词：功率检测自适应偏置线性度
- 一种高频无源元件的EM建模分析技术被引量：2
- 2011年
- 采用电磁场（EM）建模的分析方法，提取了砷化镓衬底上MIM电容、方形螺旋电感和微带传输线的等效电路模型，并应用于一种π形匹配网络的设计，该模型充分考虑了衬底损耗、趋肤效应、接近效应等因素，对无源元件电特性的影响，基于GaAs半导体工艺进行了流片。测试结果表明，在0．1～40GHz频率范围内，采用EM技术提取的元件参数值有效地吻合了其测试值。采用EM等效电路模型设计的电路与传统模型设计的电路相比，更接近于流片后的实际结果，该方法不仅有效地提高了微波集成电路设计的准确度，而且缩短了设计周期、节省了设计成本。
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- 关键词：砷化镓无源元件电磁仿真等效电路模型
- 一种能抑制HBT Kink效应的新型复合管
- 2010年
- 介绍了GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构。通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定。采用2μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1-20 GHz（接近该HBT的截止频率）的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合。采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗。
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- 关键词：宽带匹配KINK效应S参数异质结双极晶体管
