- 一种用于RF LDMOS功率放大器的匹配技术被引量：4
- 2011年
- 介绍了射频高功率放大器设计中RF LDMOS器件的预匹配和匹配技术。针对一款高功率RF LDMOS-FET,在器件法兰封装内为其设计了预匹配电路,并在PCB板级对其进行了输入输出匹配电路的设计,使其在工作频带内较好地匹配到50Ω的系统参考阻抗上。仿真及测试结果表明,当频率为950 MHz时,该RF LDMOS功放的P-1 dB达到了48.8 dBm,直流到射频信号的转换效率达到了66.4%,功率增益在17.8 dB左右,IM3基本处在-30dBc以下,同时在整个869～960 MHz工作频带内,其S11小于-10 dB。
- 王锋胡善文张晓东高怀
- 关键词：等效电路模型
- 0.1～4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块被引量：3
- 2010年
- 提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明：达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明：在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。
- 丁华锋严维敏王钟胡善文高怀
- 关键词：发射机负反馈放大器增益模块
- 一种新型提高射频功率放大器PAE的电路技术被引量：2
- 2011年
- 提出了一种新型提高射频功率放大器功率附加效率(PAE)的电路技术,该方法通过滤除二次谐波分量、反射叠加三次谐波分量以提高电路PAE,分析了相位匹配的机制及其影响因素。基于该技术设计了一款功率放大器,仿真结果表明:工作频率为918 MHz时,该功放的P_(1db)达到了30.05 dBm,功率附加效率达到了58.75%,较普通功放提高了12%,功率增益在20 dB左右。
- 郭瑜胡善文张晓东高怀
- 关键词：相位匹配谐波控制功率附加效率
- 一款新型基于推挽式结构的射频功率放大器
- 2010年
- 基于推挽式结构设计了一款新型射频功率放大器,分析了推挽式结构的工作原理,构建了输入输出无损耗匹配网络。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果表明:该功率放大器在700MHz～1100MHz的频率范围内,其增益为25dB,在1dB增益压缩点处,输出功率大于2W,功率附加效率为50%,OIP3大于44dBc。
- 牛旭滑育楠胡善文张晓东高怀孙晓红
- 关键词：功率放大器
- 阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量：1
- 2011年
- 提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保证器件面积不变的条件下,新结构较单层浅沟槽隔离结构LDMOS击穿电压提升36%以上,而导通电阻降低14%.
- 陈文兰孙晓红胡善文陈强高怀
- 关键词：LDMOS漂移区击穿电压
- 一种预失真可调InGaP/GaAs HBT射频功率放大器被引量：3
- 2010年
- 提出了一种具有可调预失真功能的共集电极放大电路,对其动态偏置点及双负反馈回路进行了分析。AWR Microwave Office仿真表明：该预失真电路产生的增益扩展与负相位偏差可以补偿该功率放大器后级电路产生的增益压缩和正相位偏差,提高其线性度。采用该预失真电路作为输入级,设计了一款功率放大器,并基于截止频率为29.5GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片。测试结果表明,该宽带放大器在3.5V偏置电压下和1.3~2.0GHz频段范围内功率增益可达27dB,P1dB为28.6dBm,最大功率附加效率为39%。
- 钱罕杰王钟胡善文张晓东高怀
- 关键词：功率放大器异质结双极晶体管预失真
- 一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线
- <B>本实用新型公开了一种自支撑氮化镓双异质结声电荷输运延迟线，其特征在于，包括自支撑氮化镓半绝缘型衬底，所述自支撑氮化镓半绝缘型衬底上设有缓冲层，所述缓冲层上设有第一氮化镓铝势垒层，所述第一氮化镓铝势垒层上设有氮化镓层...
- 田婷孙晓红陈涛胡善文高怀
- 文献传递
- 一种提高GaAs HBT放大器增益带宽积的技术被引量：1
- 2009年
- 提出了一种提高GaAsHBT共射共基宽带放大器增益带宽积的技术,给出了一种宽带补偿的改进型共射共基宽带增益单元。小信号分析表明:在相同半导体工艺条件下,基于这种改进型电路结构的放大器具有更高的增益带宽积。采用2μmInGaP/GaAsHBT晶体管工艺,分别设计了无高频损耗补偿和具有高频损耗补偿电路的共射共基放大器,并成功流片,在同样测试条件下,新的增益单元其增益带宽积达到了原来的近400%。
- 李杰胡善文张晓东高怀
- 关键词：宽带放大器
- 用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型
- 2011年
- 为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与传统热模型相比,此热模型通过使用指条之间的互热阻表征横向热流的相互作用,同时以分布的热RC网络为多指条建模,代替平均热电阻网络模型.计算结果表明,使用分布式电热耦合模型不仅能更精确反映温度的分布效应,而且可用于等比例缩放时更准确的预测平均热电阻.
- 孙晓红张晓东胡善文戴文华高怀
- 关键词：热模型镜像法热电阻
- 一种具有行波传输匹配网络的输入匹配电路
- 2011年
- 提出了一种用于宽带放大器的新型输入匹配技术,给出了一种带行波传输匹配(TWM)网络的宽带共集电极输入匹配电路,对其TWM网络进行了详细分析。基于AWR软件的仿真结果表明:该TWM网络在宽频带内具有良好的输入阻抗匹配特性。采用截止频率为29.5 GHz的2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款具有TWM输入匹配网络的宽带放大器,并成功流片。测试结果显示,该宽带放大器在40 MHz^22 GHz频率范围内可获得良好的输入匹配,输入反射系数S11稳定在-10 dB以下,功率增益在7.5 dB左右,其带宽范围几乎接近于晶体管的特征频率,直流功耗仅为20 mW左右。
- 陈杰胡善文张晓东高怀
- 关键词：宽带放大器
