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刘卫平
作品数:
1
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学技术大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
方容川
中国科学技术大学物理学院物理系
廖源
中国科学技术大学物理学院物理系
余庆选
中国科学技术大学
王冠中
中国科学技术大学
田宇全
中国科学技术大学物理学院物理系
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硼掺杂
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孪晶
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金刚石薄膜
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HFCVD
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掺杂
机构
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中国科学技术...
作者
1篇
田宇全
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王冠中
1篇
余庆选
1篇
廖源
1篇
方容川
1篇
刘卫平
传媒
1篇
无机材料学报
年份
1篇
2005
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硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响
被引量:4
2005年
采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.
刘卫平
余庆选
田宇全
廖源
王冠中
方容川
关键词:
孪晶
HFCVD
硼掺杂
金刚石薄膜
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