宋爱民
- 作品数：6 被引量：12H指数：2
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- 980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计被引量：5
- 2012年
- 对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。
- 张莹宋爱民王培界
- 关键词：单量子阱压应变AL组分
- MOPA结构1064 nm单模半导体激光器
- 2011年
- 1 064 nm单模半导体激光器在测试、通信、光纤激光器种子源等多种领域有着广泛的应用。设计并制作了一种MOPA结构1 064 nm单模半导体激光器。做为对比,同时制作了相同外延材料和腔长的脊波导单模半导体激光器。测试结果表明,该MOPA结构管芯发生灾变性光学损伤(COD)时的注入电流约740 mA,最高功率达到375 mW,无扭折最大输出功率为300 mW,此时注入电流约为610 mA,水平发散角为9.8°(FWHM),均优于作为对比的脊波导结构激光器。
- 刘刚明宋爱民陈猛
- 关键词：半导体激光器单模MOPA
- 980nm半导体激光器高反膜的优化设计
- 2011年
- 通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
- 张莹宋爱民王培界
- 关键词：半导体激光器高反膜
- 1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计
- 2010年
- 对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值。用MOCVD生长器件,实验结果与理论计算值吻合。
- 黄鑫宋爱民段利华
- 关键词：超辐射发光二极管单量子阱MOCVD
- 相干的参数X-射线辐射及弯晶的退道效应被引量：6
- 2009年
- 要成功获得相干(衍射)的参数X-射线辐射(PXR)光源,粒子的运动必须是稳定的。但是由于衰减、晶格热振动、电子多重散射和相互作用势的非线性等因素的影响,系统将产生退道、分叉、混沌等不稳定现象,从而对PXR的反射、衍射、聚焦和谱分布产生直接影响。在经典力学框架内和偶极近似下,引入正弦平方势,把粒子在弯晶中的运动方程化为具有常数力矩的摆方程。利用Jacobian椭圆函数和椭圆积分分析了系统的相平面特征,并用能量法讨论了系统的稳定性,在相空间密度均匀分布的假设下,导出了系统的退道系数。以硅单晶为例,计算了能量为1.0 GeV的质子运动在曲率半径为1 m的(110)面沟道的退道系数η=0.3。
- 王亚迅邵明珠罗诗裕宋爱民
- 关键词：弯晶摆方程
- 采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较被引量：1
- 2009年
- 采用低压化学气相淀积系统,分别采用硅烷和二氯二氢硅作为反应气体源与氨气反应,制备了S3N4薄膜,并对其特性进行了比较。实验结果表明,采用二氯二氢硅源与氨气反应制备的薄膜特性优于另一种气源。讨论了使用硅烷和二氯二氢硅源分别制备Si3N4薄膜的优缺点。
- 张故万宋爱民雷仁方高燕罗春林伍明娟
- 关键词：低压化学气相淀积硅烷二氯二氢硅
