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张莹

作品数:2 被引量:5H指数:1
供职机构:重庆邮电大学光电工程学院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 1篇单量子阱
  • 1篇压应变
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇应变量子阱激...
  • 1篇优化设计
  • 1篇量子阱激光器
  • 1篇高反膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇AL组分
  • 1篇MOCVD

机构

  • 2篇重庆邮电大学
  • 2篇重庆教育学院
  • 2篇重庆光电技术...

作者

  • 2篇王培界
  • 2篇宋爱民
  • 2篇张莹

传媒

  • 1篇数字通信
  • 1篇重庆邮电大学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
980nm半导体激光器高反膜的优化设计
2011年
通过软件模拟和理论分析,对980nm半导体激光器高反膜的结构进行了优化设计。选定Ta2O5/SiO2作为980nm半导体激光器的高反膜材料,通过软件TFCalc进行仿真,对3种不同膜系结构的反射率和电场强度进行了对比分析,对镀膜后和未镀膜的器件分别进行测试。仿真结果表明:膜系结构为Al2O3(Ta2O5/SiO2)7Ta2O5的高反膜性能良好,镀膜后的阈值电流减小了20mA左右,斜率效率从0.48增加到了0.86。
张莹宋爱民王培界
关键词:半导体激光器高反膜
980nm应变量子阱激光器外延层工艺参数的优化设计被引量:5
2012年
对980 nm应变量子阱激光器的外延层工艺参数进行优化设计。通过理论计算和软件模拟相结合的方法,优化了量子阱的结构,研究了波导层、包层中的Al组分对量子阱激光器效率的影响。根据优化结果,采用金属有机化合物化学气相淀积(metal organic chemical vapor deposition,MOCVD)技术外延生长了激光器的材料,并进行测试。测试结果表明,在室温下,当工作电流为1 A时,阈值电流为150 mA,斜率效率为0.48 W/A(采用150μm×500μm,未镀膜器件),输出功率为400 mW。
张莹宋爱民王培界
关键词:单量子阱压应变AL组分
共1页<1>
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