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李康

作品数:2 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子器件
  • 1篇掩膜
  • 1篇神经突触
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇突触
  • 1篇人工神经
  • 1篇人工神经网络
  • 1篇网络
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇工神经网络
  • 1篇仿生
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线
  • 1篇人工神经网

机构

  • 2篇中国科学院宁...
  • 1篇上海大学
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 2篇诸葛飞
  • 2篇梁凌燕
  • 2篇张洪亮
  • 2篇曹鸿涛
  • 2篇高俊华
  • 2篇竺立强
  • 2篇李俊
  • 2篇李康
  • 1篇潘若冰
  • 1篇胡丽娟
  • 1篇马德伟

传媒

  • 2篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2017
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件被引量:4
2017年
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。
潘若冰胡丽娟曹鸿涛竺立强李俊李康梁凌燕张洪亮高俊华诸葛飞
关键词:人工神经网络ZNO
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量:1
2017年
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
李久朋马德伟曹鸿涛竺立强李俊李康梁凌燕张洪亮高俊华诸葛飞
关键词:ZNO纳米线
共1页<1>
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