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李俊

作品数:5 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇突触
  • 3篇电子器件
  • 3篇神经突触
  • 2篇绝缘
  • 1篇低功耗
  • 1篇电极
  • 1篇电学性能
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层结构
  • 1篇短程
  • 1篇掩膜
  • 1篇氧化石墨
  • 1篇氧化石墨烯
  • 1篇质子
  • 1篇神经网
  • 1篇神经网络
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇人工神经
  • 1篇人工神经网络

机构

  • 5篇中国科学院宁...
  • 1篇上海大学
  • 1篇浙江工业大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇中国科学院脑...

作者

  • 5篇诸葛飞
  • 5篇李俊
  • 4篇曹鸿涛
  • 4篇竺立强
  • 3篇潘若冰
  • 2篇梁凌燕
  • 2篇张洪亮
  • 2篇高俊华
  • 2篇李康
  • 1篇胡丽娟
  • 1篇卢焕明
  • 1篇马德伟

传媒

  • 3篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2017
  • 2篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法
本发明公开了一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法。该生物神经突触仿生电子器件从上至下依次包括上电极、与上电极连接的中间绝缘层以及与中间绝缘层连接的下电极;且上电极的材料为金属钛,中间绝缘层的材料为金属氧化物。该器件的...
诸葛飞潘若冰曹鸿涛竺立强李俊
文献传递
基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件被引量:4
2017年
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则。ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人。
潘若冰胡丽娟曹鸿涛竺立强李俊李康梁凌燕张洪亮高俊华诸葛飞
关键词:人工神经网络ZNO
具有短程抑制特性的超低功耗全碳质子突触器件
2022年
短程突触可塑性保证了对神经形态计算系统中神经信息处理和短程记忆的动态调节。短程易化特性(STF)在多种人工突触器件中被广泛报道,与之相比短程抑制特性(STD)的研究则进展缓慢,仅有为数不多的器件表现出STD特性,并且其单个刺激下的功耗比生物突触(1~10 fJ)高出许多。本研究提出了一种室温下通过溶液法制备的新型石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)质子突触器件,该器件在几十毫伏的连续脉冲电压刺激下表现出电导逐渐下降的特性,这种特性源于质子在GO/G界面处连续积累导致的逐渐增强的反向质子电流。G/GO/G器件可以很好地模拟STD突触特性。由于操作电压和电流极小,器件单个刺激下的最低功耗可低至几十阿焦,此超低功耗特性有助于解决散热问题从而实现高度集成的神经形态电路。因此,全碳结构器件在脑内植入神经假体领域有很好的应用前景。
徐慧文竺臻楠胡令祥李俊俞家欢卢焕明张莉王敬蕊诸葛飞
关键词:氧化石墨烯超低功耗
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量:1
2017年
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单,制备过程对器件污染少,因此是制备纳米线器件的有效方法。
李久朋马德伟曹鸿涛竺立强李俊李康梁凌燕张洪亮高俊华诸葛飞
关键词:ZNO纳米线
一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品
本发明公开了一种生物神经突触仿生电子器件的制备方法及其产品,制备方法如下:(1)依次在衬底上形成导电层和绝缘层;(2)在所述的绝缘层上形成若干个相互隔离的上电极;(3)使导电层接地,先向各上电极施加第一脉冲,然后再向各上...
诸葛飞潘若冰曹鸿涛竺立强李俊
文献传递
共1页<1>
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