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竺立强

作品数：45 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇经济管理
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 19篇电池
  • 16篇晶体硅
  • 15篇太阳能电池
  • 14篇晶体管
  • 14篇硅太阳能电池
  • 13篇太阳能
  • 12篇体硅
  • 12篇晶体硅太阳能...
  • 10篇突触
  • 10篇薄膜晶体
  • 10篇薄膜晶体管
  • 8篇硅薄膜
  • 6篇电解质
  • 5篇电极
  • 5篇衬底
  • 4篇多晶
  • 4篇多晶硅
  • 4篇氧化硅薄膜
  • 4篇氧化物
  • 4篇栅介质

机构

  • 44篇中国科学院宁...
  • 1篇湖南大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇上海大学
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 45篇竺立强
  • 27篇万青
  • 17篇张洪亮
  • 12篇肖惠
  • 10篇吴国栋
  • 9篇龚骏
  • 6篇曹鸿涛
  • 6篇黄晋
  • 5篇郭立强
  • 4篇李莉
  • 4篇诸葛飞
  • 4篇李俊
  • 4篇刘阳辉
  • 3篇杨园园
  • 3篇潘若冰
  • 2篇梁凌燕
  • 2篇高俊华
  • 2篇周菊枚
  • 2篇李康
  • 1篇李想

传媒

  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇材料导报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
共 45 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低工作电压反相器及其制作方法
本发明公开了一种低工作电压反相器及其制作方法。本发明的反相器包含形成在绝缘衬底上的第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管以耗尽型模式工作，所述第二晶体管以增强型模式工作，并且，所述第一晶体管和第二晶体管的栅介质层由...
竺立强肖惠万昌锦刘阳辉
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氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极，以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层，其中，栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强刘锐肖惠付杨明
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一种多晶硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，该方法首先在衬底上沉积一层SiO<Sub>2</Sub>或SiN<Sub>x</Sub>颗粒膜作为过渡层，然后在所述的过渡层上在高温下采用化学气相沉积技术沉积一层厚度为10微米～10...
万青黄晋龚骏竺立强李莉
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具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用
本发明公开了具有多端结构的人造突触器件及其制法和应用。具体地，本发明的人造突触器件包含：依次叠加在衬底上的n个“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元，每一个所述“栅介质底层‑浮栅电极”基本单元包含栅介质底层和沉积在其上的浮栅电...
竺立强刘阳辉万昌锦肖惠
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具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法
本发明公开了一种具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法，该晶体硅太阳能电池在晶体硅片背表面钝化层的表面增加由上转换发光材料构成的薄膜层或/和由下转换发光材料构成的薄膜层，在该薄膜层表面制备由氮化硅、氮化铝、...
竺立强张洪亮肖惠万青
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一种柔性超薄玻璃的制备方法
本发明公开了一种柔性超薄玻璃的制备方法，采用化学气相沉积技术，在低熔点的锡溶液上首先制备一层氮化硅薄膜，再制备一层二氧化硅薄膜，最后抽取Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub...
万青郭立强杨园园竺立强张洪亮吴国栋
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一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法
本发明公开了一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，该方法在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜上制备ITO薄膜作为前电极；或者，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层二...
万青竺立强张洪亮吴国栋
一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法及其薄膜晶体管
本发明公开了一种非晶态碳化硅薄膜的制备方法，以硅源、碳源作为反应源，氩气作为保护气体，在掺杂剂的作用下，通过化学气相沉积技术得到。本发明还公开了一种非晶态碳化硅薄膜晶体管，该非晶态碳化硅薄膜晶体管包括衬底、阻隔层、源电极...
郭立强万青杨园园竺立强吴国栋
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氧化物薄膜晶体管及其制造方法
本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管，包含：绝缘衬底、栅介质层、位于栅介质层一侧的栅电极，以及位于栅介质层另一侧的源极、漏极、以及源极和漏极之间的沟道层，其中，栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉...
竺立强刘锐肖惠付杨明
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一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法
本发明公开了一种生物神经突触仿生电子器件及其制备方法。该生物神经突触仿生电子器件从上至下依次包括上电极、与上电极连接的中间绝缘层以及与中间绝缘层连接的下电极；且上电极的材料为金属钛，中间绝缘层的材料为金属氧化物。该器件的...
诸葛飞潘若冰曹鸿涛竺立强李俊
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