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孙化冬

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金四川省科技支撑计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇溅射
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇射频反应磁控...
  • 1篇膜厚
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒尺寸
  • 1篇晶体
  • 1篇溅射功率
  • 1篇高熵合金
  • 1篇合金
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇氩
  • 1篇AIN薄膜
  • 1篇常温
  • 1篇沉积速率
  • 1篇尺寸
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 2篇四川大学
  • 1篇四川理工学院

作者

  • 2篇张立东
  • 2篇张伟
  • 2篇孙化冬
  • 1篇汪渊
  • 1篇刘望
  • 1篇刘春海

传媒

  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜被引量：8
2012年
用多靶射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(40～100W)下在Si(100)基底上制备晶体AlCrTaTiNi高熵合金薄膜。同时用四点探针(FPP)X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及其附带的能谱分析仪对薄膜的电性能和微结构进行表征。分析结果表明AlCrTaTiNi高熵合金薄膜在溅射功率为80W时的晶粒尺寸最大,电阻率最低,为160μΩ.cm左右。同时截面SEM形貌显示形成的晶体并非柱状晶体。
张立东刘春海孙化冬张伟
关键词：高熵合金晶粒尺寸溅射功率膜厚
常温低氮氩比下(002)择优取向氮化铝薄膜的制备
2011年
常温下采用反应射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备出(002)单一择优取向柱状结构的氮化铝薄膜,通过XRD分析发现溅射功率为80W、溅射气压为0.20 Pa、氮气与氩气比为5%时,氮化铝(002)晶体衍射峰最强,通过FESEM表面及截面分析表明在此条件下得到的氮化铝薄膜表面较平整、致密性较好.
孙化冬彭冬香张伟张立东刘望汪渊
关键词：AIN薄膜射频反应磁控溅射沉积速率
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